Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

2.5. Элементы полупроводниковых постоянных 
запоминающих устройств (ПЗУ) 
Наибольшее распространение получили ПЗУ на МДП-
транзисторах в связи с возможностью достижения высоких 
степеней интеграции и соответственно большой информаци-
онной емкости, а также благодаря малому потреблению энер-
гии. Для микропроцессорных систем необходимо иметь уст-

---

59 
ройства перепрограммируемой памяти: перепрограммируемые 
постоянные запоминающие устройства (ППЗУ), в которых ин-
формация могла бы храниться годами и в которых бы имелась 
возможность стирать эту информацию полностью или частич-
но и заносить новую. Для реализации ППЗУ необходим МДП-
транзистор, в котором обратимым образом было бы возможно 
изменять пороговое напряжение за счет изменения встроенно-
го в диэлектрик заряда.
Элементной базой БИС ППЗУ служат: 
- МДП-транзисторы со структурой металл-нитрид-оксид-
полупроводник (МНОП - транзистор);
- лавинно-инжекционные МДП-транзисторы с пла-
вающим затвором (транзисторы ЛИПЗМДП); 
-·МДП-транзисторы с плавающим и управляющим затво-
рами (двухзатворный МДП-транзистор).
2.5.1. МНОП-транзистор 
В МНОП-транзисторе (рис. 2.28) в качестве подзатворно-
го диэлектрика используется двухслойное покрытие, а в каче-
стве первого диэлектрика - туннельно прозрачный слой (d
ox
 
50 Ǻ) диоксида кремния. В качестве второго диэлектрика ис-
пользуется толстый (d ≈ 1000 Ǻ) слой нитрида кремния. Нит-
рид кремния Si
3
N
4
имеет глубокие ловушки в запрещенной зо-
не и значение диэлектрической постоянной в два раза более 
высокое, чем диэлектрическая постоянная диоксида кремния. 
Ширина запрещенной зоны нитрида Si
3
N
4
меньше, чем шири-
на запрещенной зоны диоксида SiO
2
.
Рис. 2.28. Конструкция МНОП-транзистора 

---

60 
Рассмотрим основные физические процессы, протекаю-
щие в МНОП-транзисторе при работе в режиме запоминающе-
го устройства. На рис. 2.29 приведена зонная диаграмма 
МНОП-транзистора.
а) 
б)
в) 
Рис. 2.29. Зонная диаграмма МНОП-транзистора:
а - напряжение на затворе равно нулю, ловушки не заполнены; 
б - запись информационного заряда; в - стирание
информационного заряда 
При подаче импульса положительного напряжения +V
GS
на затвор вследствие разницы в величинах диэлектрических 
постоянных оксида и нитрида в оксиде возникает сильное 
электрическое поле, вызывающее туннельную инжекцию элек-
тронов из полупроводника через оксид в нитрид. Инжектиро-
ванные электроны захватываются ловушками в запрещенной 
зоне нитрида кремния.
После снятия напряжения с затвора инжектированный 
заряд длительное время хранится на ловушечных центрах, что 
соответствует существованию встроенного инверсионного ка-
нала.
При подаче импульса отрицательного напряжения - V
GS
на затвор происходит туннелирование электронов с ловушек в 
нитриде кремния в зону проводимости полупроводника (рис. 
2.29, в). При снятии напряжения с затвора инверсионный канал 
исчезает.

---

61