Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие


многоколлекторные транзисторы



Download 2,59 Mb.
Pdf ko'rish
bet25/61
Sana24.02.2022
Hajmi2,59 Mb.
#218460
1   ...   21   22   23   24   25   26   27   28   ...   61
Bog'liq
svistova-t.v.-osnovy-mikroelektroniki (1)

многоколлекторные транзисторы (МКТ). Их структура и 
условное графическое обозначение приведена на рис. 2.21. 
Структура многоколлекторного транзистора(МКТ) явля-
ется основной структурной единицей ИМС с инжекционной 
логикой (И
2
Л), получивших название «сверхинтегрирован-
ных», поскольку в них структуры p-n-p и n-p-n транзисторов 
совмещены друг с другом. Коллектор одного транзистора од-
новременно выполняет функцию базы другого транзистора. 


51 
Благодаря такой конструкции обеспечивается значительная 
экономия площади поверхности, так как отсутствует необхо-
димость дополнительных изолирующих областей и межэле-
ментных соединений.
 
 
а)
 
 
б) 
 
Рис. 2.21. Структура (а) и условное графическое
обозначение (б) многоколлекторного транзистора 
Структура МКТ в И
2
Л-схеме представлена на рис. 2.22 и 
представляет собой МЭТ, включенный в инверсном режиме, 
т.е. общим эмиттером является эпитаксиальный слой, а кол-
лекторы - n
+
области малых размеров. Важным элементом 
структуры в данном случае является горизонтальный p-n-p 
транзистор. Следует отметить, что его эмиттер в этой схеме 
находится рядом с базовой областью р-типа структуры.
При подаче напряжения смещения на инжектор (И) дыр-
ки, инжектируемые горизонтальным p-n-p транзистором в базу 
МКТ, приводят его в состояние насыщения, если этот базовый 
ток не отводится через электрод (Б). Таким образом, данный 
элемент имеет два устойчивых состояния: когда МКТ транзи-
стор находится в режиме отсечки или в режиме насыщения - в 
зависимости от того, есть или нет ток через электрод (Б).
Главной проблемой при конструировании данного тран-
зистора является обеспечение достаточно высокого коэффици-
ента передачи тока от общего n-эмиттера к каждому из n
+
-
коллекторов. Это достигается расположением скрытого n
+
-
слоя как можно ближе к базовому и расположением n
+
-слоев 
как можно ближе друг к другу. 


52 
а
б
Рис. 2.22. Структура (а) и эквивалентная электрическая
схема (б) И
2
Л элемента: 1 - оксид кремния, 2 - металлические
проводники, 3 - пленка поликремния 

Download 2,59 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   21   22   23   24   25   26   27   28   ...   61




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish