Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

кальными, делаются преимущественно типа п-р-п. В некото-
рых случаях нужны транзисторы типа р-п-р. Они обычно име-
ют такую структуру, что ток через переходы протекает в гори-
зонтальном направлении (рис. 2.8). Эти транзисторы называют 
горизонтальными. У них база по сравнению с вертикальными 

---

39 
транзисторами получается толще и соответственно этому гра-
ничная частота ниже. 
Рис. 2.8. Горизонтальный транзистор типа р-п-р 
 
Полевые транзисторы с р-п-переходом. Эти транзисто-
ры могут быть изготовлены совместно с биполярными на од-
ном кристалле.
На рис. 2.9, а показана структура планарного полевого 
транзистора с n-каналом. В «кармане» n-типа созданы области 
(п
+
-типа) стока и истока и область (р-типа) затвора. Сток рас-
положен в центре, затвор вокруг него. Для уменьшения на-
чальной толщины канала иногда внутри делают скрытый слой 
р
+
, но это связано с усложнением технологических процессов.
Рис. 2.9. Полевой транзистор полупроводниковой ИС
с каналом п-типа (а) и р-типа (б) 
Другой вариант полевого транзистора - с каналом р-типа 
- изображен на рис. 2.9, б. Его структура совпадает со структу-

---

40 
рой обычного п-р-п-транзистора. В качестве канала использу-
ется слой базы. 
МОП-транзисторы. Биполярные транзисторы в ИС все 
больше вытесняются транзисторами типа МОП (или МДП). 
Это 
объясняется 
важными 
преимуществами 
МОП-
транзисторов, в частности их высоким входным сопротивле-
нием и простотой устройства. 
МДП-транзисторы имеют существенные преимущества 
перед биполярными по конструкции (размеры и занимаемая 
ими площадь относительно невелики, отсутствует необходи-
мость их изоляции) и электрофизическим параметрам (низкий 
уровень шумов, устойчивость к перегрузкам по току, высокое 
входное сопротивление и помехоустойчивость, малая мощ-
ность рассеивания, низкая стоимость). МДП-транзистор может 
быть основным и единственным элементом МДП-микросхем. 
Он может выполнять функции активных приборов (ключевой 
транзистор в инверторах, усилительный транзистор), так и 
пассивных элементов (нагрузочный транзистор в инверторе, 
конденсатор в элементе памяти). Поэтому при проектировании 
МДП-микросхем можно обходиться только одним элементом - 
МДП-транзистором, конструктивные размеры которого и схе-
ма включения будут завесить от выполняемой функции. Это 
обстоятельство дает существенный выигрыш в степени инте-
грации. 
Особенно просто изготовляются МОП-транзисторы с ин-
дуцированным каналом. Для них в кристалле р-типа надо лишь 
создать методом диффузии области п
+
истока и стока (рис. 
2.10, а). На переходах между этими областями и подложкой 
поддерживается обратное напряжение, и таким образом осу-
ществляется изоляция транзисторов от кристалла и друг от 
друга. Аналогична изоляция канала от кристалла. 
Несколько сложнее изготовление на подложке р-типа 
МОП-транзистора с каналом р-типа, так как для подобного 
транзистора необходимо сначала сделать «карман» n-типа 
(рис. 2.10, б).

---

41 
Рис. 2.10. МОП-транзистор полупроводниковой ИС
с индуцированным каналом п-типа (а) и р-типа (б) 
В некоторых ИС находят применение пары МОП-
транзисторов с каналами п- и р-типа. Такие пары называют