Т. В. Свистова основы микроэлектроники учебное пособие

Комбинированный метод, при котором сочетаются изо-
ляция диэлектриком и изоляция р-n-переходом, является са-

---

35 
мым распространенным методом изоляции транзисторных 
структур. При этом варианте изоляция p-n-переходом осуще-
ствляется внизу структуры и слоем SiO
2
на поверхностях пря-
моугольных или V - образных канавок. 
Основным технологическим процессом является изопла-
нарная технология, в основе которой лежит локальное окисле-
ние тонкого эпитаксиального слоя кремния. Результатом этого 
является образование карманов, которые сбоку изолированы 
диэлектриком, а от подложек изолируется р-n-переходом. В 
таких карманах и располагаются транзисторные структуры, а 
также элементы интегральных схем. 
В изопланарном процессе для локального прокисления 
используются маски из нитрида кремния. Этот технологиче-
ский процесс позволяет обеспечить большую плотность упа-
ковки элементов на кристалле и получить высокие частотные и 
переходные характеристики транзисторных структур. 
Большое распространение получил метод боковой ди-
электрической изоляции V-канавками (рис. 2.6). В этом тех-
нологическом процессе вместо сквозного прокисления эпитак-
сиального слоя используется локальное анизотропное травле-
ние поверхности кристалла, ориентированной по плоскости 
(100). 
Рис. 2.6. Совместная изоляция p-n-переходом
и диэлектрическими пленками 
В этом случае травление идет в плоскости (111) так, что 
грани (111) сходятся ниже границы эпитаксиального слоя. Об-
разовавшиеся V-образные канавки заполняются диоксидом 
кремния, либо поликристаллическим кремнием (рис. 2.1, в). 

---

36 
Используя метод реактивного ионного травления, можно 
уменьшить ширину канавки и превратить ее из V- в U-
образную. 
Недостатком такого способа изоляции является исполь-
зование плоскости (100), что сопряжено с повышенной плот-
ностью поверхностных дефектов. 
К изоляции МДП-транзисторных структур и элементам 
интегральных схем требования менее жестки в силу физиче-
ских особенностей их работы. Эти же методы изоляции ис-
пользуются и в униполярных интегральных схемах.