Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

Туннелирование Фаулера–Нордхайма[править]
Процесс перемещения электронов из управляющего затвора в плавающий затвор называется туннелированием Фаулера–Нордгейма и принципиально изменяет характеристики ячейки за счет увеличения порогового напряжения МОП-транзистора. Это, в свою очередь, изменяет ток стока-источника, протекающий через транзистор при заданном напряжении затвора, которое в конечном счете используется для кодирования двоичного значения. Туннельный эффект Фаулера-Нордгейма обратим, поэтому электроны могут быть добавлены к плавающему затвору или удалены из него-процессы, традиционно известные как запись и стирание.^[60]
Внутренние зарядные насосы[править]
Несмотря на необходимость относительно высоких напряжений программирования и стирания, практически все флэш-чипы сегодня требуют только одного напряжения питания и производят высокие напряжения, которые требуются с помощью встроенных зарядных насосов.
Более половины энергии, используемой флэш-чипом NAND 1,8 В, теряется в самом зарядном насосе. Поскольку повышающих преобразователей по своей природе более эффективны, чем стоимость насосы, исследователей развивающихся маломощные твердотельные накопители имеют предложили вернуться к комбинированному питанию VCC/ВПП подачи напряжения использовать на всех ранних микросхемы флэш-памяти, за рулем высокая ВПП напряжение для микросхемы флэш-памяти в SSD с одним общим внешним повышающий преобразователь.^{[61][62][63][64][65][66][67][68]}
В космических кораблях и других средах с высоким уровнем радиации встроенный зарядный насос является первой частью флэш-чипа, которая выходит из строя, хотя флэш-память будет продолжать работать – в режиме только для чтения^{-при гораздо более высоких уровнях радиации.}
НИ вспышки[править]

Проводка и структура флэш-памяти NOR на кремнии
В NOR flash каждая ячейка имеет один конец, соединенный непосредственно с землей, а другой-непосредственно с битовой линией. Эта схема называется "NOR flash", потому что она действует как затвор NOR: когда одна из словесных линий (подключенная к CG ячейки) выводится высоко, соответствующий запоминающий транзистор тянет выходную битовую линию низко. NOR flash по - прежнему остается предпочтительной технологией для встраиваемых приложений, требующих дискретного энергонезависимого устройства памяти. Низкие задержки считывания, характерные для устройств NOR, позволяют как непосредственно выполнять код, так и хранить данные в одном запоминающем устройстве.^[70]