Реферат тема: Флеш память. Рахмонов шахзод самарканд 2022 План: История

Поставки флэш-памяти (est. manufactured units)

Download 254,16 Kb. bet 19/19 Sana 08.07.2022 Hajmi 254,16 Kb. #757087 Turi Реферат

Bog'liq
Флеш память

Bu sahifa navigatsiya:

• МОП-транзистор с плавающим затвором ячейки памяти (миллиарды)
• 1992–2020 45,358,454,134+ микросхемы памяти 758,057,729,630+ гигабайт
• ITRS или компания 2010 2011

Поставки флэш-памяти (est. manufactured units)

Год(ы)	Микросхемы дискретной флэш-памяти	Емкость флэш-памяти (гигабайт)	МОП-транзистор с плавающим затвором ячейки памяти (миллиарды)
1992	26,000,000[170]	3[170]	24[а]
1993	73,000,000[170]	17[170]	139[а]
1994	112,000,000[170]	25[170]	203[а]
1995	235,000,000[170]	38[170]	300[а]
1996	359,000,000[170]	140[170]	1,121[а]
1997	477,200,000+[171]	317+[171]	2,533+[a]
1998	762,195,122[172]	455+[171]	3,642+[a]
1999	12,800,000,000[173]	635+[171]	5,082+[a]
2000–2004		134,217,728,000 (NAND)[174]	1,073,741,824,000 (NAND)[174]
2005–2007	?
2008	1,226,215,645 (мобильный NAND)[175]
2009	1,226,215,645+ (мобильный NAND)
2010	7,280,000,000+[b]
2011	8,700,000,000[177]
2012	5,151,515,152 (серийный)[178]
2013	?
2014	?	59,000,000,000[179]	118,000,000,000+[a]
2015	7,692,307,692 (NAND)[180]	85,000,000,000[181]	170,000,000,000+[a]
2016	?	100,000,000,000[182]	200,000,000,000+[a]
2017	?	148,200,000,000[c]	296 400 000 000+[a]
2018	?	231 640 000 000[d]	463,280,000,000+[a]
2019	?	?	?
2020	?	?	?
1992–2020	45,358,454,134+ микросхемы памяти	758,057,729,630+ гигабайт	2,321,421,837,044 млрд+ клеток

В дополнение к отдельным флэш-памяти, флэш-памяти и встроенного в микроконтроллер (МК) микросхем и систем на кристалле (SoC) с приборами.^[186] флэш-память встроена в руку чипы,^[186] , который продал 150 млрд устройств во всем мире по состоянию на 2019,^[187] и в программируемые системы-на-чипе (Оцс) устройств, которые было продано около 1,1 млрд единиц по состоянию на 2012 год.^[188] это сводится к минимум 151.1 млрд микроконтроллеров и систем на кристалле микросхемы встроенной флеш-памяти, в дополнение к 45.4 млрд известно индивидуальных флэш-чипов по состоянию на 2015 год, в общей сумме не менее 196.5 млрд чипов, содержащих флэш-памяти.
Масштабируемость Flash[править]
См. Также: Список примеров полупроводниковых масштабов и закон Мура
Благодаря своей относительно простой структуре и высокому спросу на более высокую емкость флэш-память NAND является наиболее агрессивно масштабируемой технологией среди электронных устройств. Высокая конкуренция среди немногих производителей, только добавляет агрессивности сокращение плавучего затвора МОП-транзистора правила проектирования процесса или технологический узел.^[86] в то время как ожидалось сокращение сроков вдвое каждые три года в первоначальном варианте закон Мура, который недавно был ускорен в случае флэш-памяти NAND, чтобы в два раза каждые два года.

ITRS или компания	2010	2011	2012	2013	2014	2015	2016	2017	2018
ITRS Flash Roadmap 2011[189]	32 нм	22 нм	20 нм	18 нм	16 нм
Обновленная дорожная карта ITRS Flash[190]					17 нм	15 нм	14 нм
Samsung[189][190][191] (Samsung 3D NAND)[190]	35–20 нм[30]	27 нм	21 нм (MLC, TLC)	19-16 нм 19-10 нм (MLC, TLC)[192]	19-10 нм V-NAND (24L)	16-10 нм V-NAND (32L)	16-10 нм	12-10 нм	12-10 нм
Микрон, Интел[189][190][191]	34-25 нм	25 нм	20 нм (MLC + HKMG)	20 нм (ТСХ)	16 нм	16 нм 3D NAND	16 нм 3D NAND	12 нм 3D NAND	12 нм 3D NAND
Toshiba, ВД (SanDisk)[189][190][191]	43-32 нм 24 нм (Toshiba)[193]	24 нм	19 нм (MLC, TLC)		15 нм	15 нм 3D NAND	15 нм 3D NAND	12 нм 3D NAND	12 нм 3D NAND
SK Hynix[189][190][191]	46-35 нм	26 нм	20 нм (MLC)		16 нм	16 нм	16 нм	12 нм	12 нм

По мере того как размер МОП-транзисторов ячеек флэш-памяти достигает минимального предела 15-16 нм, дальнейшее увеличение плотности вспышки будет происходить за счет TLC (3 бита/ячейка) в сочетании с вертикальным штабелированием плоскостей памяти NAND. Снижение выносливости и увеличение частоты неисправимых битовых ошибок, сопровождающих уменьшение размера объекта, могут быть компенсированы улучшенными механизмами коррекции ошибок.^[194] Даже с учетом этих достижений может оказаться невозможным экономически масштабировать вспышку до все меньших и меньших размеров по мере уменьшения количества электронов. Много перспективных новых технологий (таких как FeRAM, MRAM, PMC, PCM, ReRAM и другие) находятся в стадии исследования и разработки как возможные более масштабируемые замены flash^[195].

Download 254,16 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham: