3.6. Tranzistorlarni qo‘llanilish sohalari.
Hozirgi zamonda radiotexnika va elektronika rivojlanishi natijasida radioaloqa,
radioeshittirish, televideniya, radiolokatsiya, radionavigatsiya, radioastronomiya,
radioteleboshqarish, elektron hisoblash texnikasi, kompyuter texnologiyasi va boshqa
murakkab elektron qurilmalarni asosini tranzistorlar tashkil etadi (29-rasm).
Tranzistorlarni juda ko‘p turlari yaratilgan va ular benuqson, uzoq muddat
ishlashi bilan ajralib turadi.
Bundan tashqari tranzistorlar past chastotali signallarni kuchaytirish uchun
qo‘llaniladi. Tranzistorlarda qurilgan kuchlanish kuchaytirgichlari asosan ikki xil
turga ajraladi.
1 tur. Qarshilikli tranzistor kuchaytirgichlari.
2 tur. Transformatorli tranzistor kuchaytirgichlari.
Kuchaytirgichning kirishiga signal berilmasa tranzistorning emitter, kollektor,
baza zanjirlaridan hamda bo‘luvchi qarshiliklardan toklar o‘tib turadi.
54
Tranzistorli past chastota kuchaytirgichlarning amaliy chizmasi 28-rasmda
ko‘rsatilgan mVt, bu chizmada signal chiqish joyida maksimal quvvat R=200 tengdir.
Tranzistorli kuchaytirgichning eng ko‘p tarqalgan qo‘llanilish sohasi
28-rasmda berilgan.
30-rasm. Past chastotalarni kuchaytirib beruvchi tranzistorli radioqurilma (UNCh
kaskadi).
55
Xulosa
Bugingi kunda ilmiy-texnikaning zamonaviy yo’qlanishi elektronikaning
rivojlanishi bilan chanbarchas bog`liqdir. Elektronika gaz, qattiq jism vakuum va
boshqa muxitdagi elementar zaryadlangan zarrachalarga elektromagnit maydon ta`sir
natijasida xosil bo’lgan elektr o’tkazuvchanlikni o’rganish va undan foydalanish
masalalari bilan shugullanadigan fan sohasidir. Elektronika yutuqlari natijasi sifatida
elektrovakuum va yarim o’tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida
namoyon bo’ladi. Zamonaviy elektornikani o’rganish uchun avvalam bor
radioelektronika asboblarining tuzilishi, ishlash printsipi va fizikaviy asoslarini bilib
olish kerak.
Integral
mikrosxemalar
radio
elektron
apparaturalarda
elementlararo
ulanishlarni ta`minlash bilan birgalikda, ularning kichik o`lchamlarini, energiya
ta`minotini, massa va material hajmini ta`minlaydilar. Ko`p sonli chiqishlar va
qobiqlarning yo`qligi radio elektron apparaturalarning hajmi va massasini
kichraytiradi. Moddaning yarim o‘tkazgichlik xossasiga asoslangan elementlarda fizik
jarayonlar mikronlar tartibidagi sohalarda yuz berib, zamonaviy mikrochiplarda
kremniy kristalining kichik bo‘lagida bir-biriga ulangan millionlab diodlar,
tranzistorlar, qarshiliklar, kondensatorlar joylashgan.
Yarim o‘tkazgichli diod (YO’D) ikki elektrodli qurilma bo‘lib, uning ishlashi
n-p o‘tishni elektrik xususiyatlarga, yoki metal yarim o‘tkazuvchi kontaktini
ishlatilishiga asoslangan. Bu xususiyatlarga quyidagilar kiradi: bir tomonlama
o‘tkauvchanlik, volt-amper tavsifini nochiziqligi, volt-amperli tavsifini manfiy
qarshilikka ega bo‘lagi mavjudligi, elektrli buzilishda teskar tokni keskin oshib
ketishi, n-p o‘tishni sig‘imi mavjudligi n-p o‘tishni qaysi xususiyatlari ishlatilishiga
bog‘liq xolda yarim o‘tkazuvchi diodlar to‘g‘irlash, detektrlash, o‘zgartirish, elektr
tebranishlarni generatsiyalash shuningdek o‘zgarmas tok zanjirlarida kuchlanishni
stabillash va o‘zgsharuvchan reaktiv elementlari sifatida qo‘llash mumkin.
56
Ilgari zamonda vakuumli lampalarga elektron asos solgan bo‘lsa, endilikda yarim
o‘tkazgichli qurilmalar, elektronikaning beqiyos rivojlanishiga ustqurma bo‘lib
xizmat qilmoqda. Elektr o‘tkazuvchanlik jihatidan yarim o‘tkazgichlar metallar va
dielektriklar oralig‘ida sodir bo‘ladi. Bugungi kunda bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va
uch yoki undan ko‘p uchlari bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob
tranzistor deb nomlanadi.
Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq,
garchi nuqtali tranzistorlar oldin paydo bo‘lishiga qaramasdan, ularning nostabil
ishlashi shunga olib kelidiki, bugungi kunda faqat yassi tranzistorlar ishlab
chiqariladi. Yarim o‘tkazgichli tranzistorlarning muhim xossalari turli tashqi omillar:
T-temperatura; F-yorug‘lik oqimi;
R-bosim kuchi; E-elektr maydon kuchlanganligi;
va boshqa tashqi ta’sirlarida elektr o‘tkazuvchanlikni tez o‘zgarishidir. Yarim
o‘tkazgichlar tarkibida bir oz aralashma qo‘shilganda, ularning elektr
o‘tkazuvchanligi bir necha ming marta o‘zgarishiga olib keladi. Xulosa qilib shuni
ta’kidlash mumkinki yarim o‘tkazgichlarda elektronlar kontsentratsiyasi kam ekanligi
(metallarga solishtirganda ancha kam) va tashqi omillarga bog‘liqligi sababdir. Tashqi
elektr maydon ta’sirida erkin elektronlar harakatlanib, elektron o‘tkazuvchanlikni
hosil qiladi (N-o‘tkazuvchanlik). Tashqi elektr maydon ta’sirida teshiklar maydon
yo‘nalishiga siljiydi. Ana shu teshiklar siljishi kattalik jihatidan elektronlar zaryadiga
teng bo‘lgan musbat zaryadlar tokiga ekvivalent. Bu jarayon teshikli o‘tkazuvchanlik
deb
ataladi
(R-o‘tkazuvchanlik).
Shunday
qilib
yarim
o‘tkazgichlarning
o‘tkazuvchanligi elektron o‘tkazuvchanlik va teshikli o‘tkazuvchanlik yig‘indisidan
iborat ekan.
Ushbu bitiruv malakaviy ishi shu muammolarga bagishlanadi. Xozirgi vaqtda
elektronika asboblarning turli xildagi turlarining soni shunchalik ko’pki, ularning xar
birini qarab chiqishning imkoni yo’q.
57
Foydalanilgan adabiyotlar
1.
M.Ismoilov ,P .Xabibullayev , M. Xaulin. “ Fizika kursi”. Toshkent,
O’zbekiston, 2000-y
2.
Qo‘yliyev B.T. Tabiatning fizik xossalari bitmas-tuganmasdir. Qarshi, 2005 y.
3.
Nigmatov K. Radioelektronika asoslari. T., 1994 y.
4.
Б . М. Я в о р с к и й , А .А .Д е т л а ф. «К у р с фи з и к и » I-III т о м. М:
“
В ыcшaя шkо л а ” 1994 г .
5.
Teshaboev A, Zaynobiddinov S, va boshq. Yarimo`tkazgich
asboblar fizikasi. Toshkent. 2005 y.
6.
Teshaboev A., Zaynobiddinov S., va boshq. Yarimo `tkazgichlar
fizikasi. Toshkent. 2006 y.
7.
Glebovich A.A. Elektrotexnika va san’a t elektronikasi asoslaridan
laboratorya ishlari. O’qituvchi,Toshkent 1978 y.
8.
X. Nigmatov, A.T. Mirzaev, D.O.Tolipov Elektron kusheytkichlar.
Toshkent «Universitet»1999 y.
9.
Г е р шу н с к и й Б .С . О с н о в ы э л е к т р о н и к и и
ми к р о э л е к т р о н и к и . М., 1990.
10.
Ма н а е в Э .И. Ос н о в ы р а д и о э л е к т р о н и к и . М., 1989 г .
11.
Мо л ч а н о в А .П., З а н а д в о р о в П.Н. К у р с э л е к т р о н и к и
и р а д и о т е х н и к и . М., На у к а , 1976 г .
12.
С т е п а н е н к о И.П. О с н о в ы т е о р и и т р а н з и с т о р о в и
т р а н з и с т о р н ых с х е м. М., Э н е р г и я , 1977 г .
13.
Фе д о т о в Я .А . О с н о в ы фи з и к и п о л у п р о в о д н и к о в ых
п р и б о р о в . М., 1970
14.
Па с ын к о в В .В . и д р . По л у п р о в о д н и к о в ые
п р и б о р ы.М., 1973 г.
15.
С п р а в о ч н и к п о п о л у п р о в о д н и к о в ым д и о д а м,
т р а н з и с т о р а м и и н т е г р а л ь н ым с х е ма м/ По д р е д .
58
Н.Н. Г о р юн о в а . М., 1972 г.
16. Мэ д л е н д Г .Р . и д р . Ин т е г р а л ь н ые с х е м ы/ М., 1970 г.
17. П а р ф е н о в О .Д . Т е х н о л о г и я м и к р о с х е м . М., 1977г..
18.
С т у п е л ь ма н В .Ш., Фи л а р е т о в Г .А .
По л у п р о в о д н и к о в ые п р и б о р ы.М.,1972
19.
Г у с е в В .Г ., Г у с е в Ю.М Э л е к т р о н и к а . М.1991 г .
20.
Г а в р и л о в .Р .А ., С к в о р ц о в .А .М., О с н о в ы фи з и к и
п о р л у п р о в о д н и к о в и з д М «Ма ши н о с т р о е н и е » 1966 г .
21.
Д е ми р ч я н К .С . Т е о р и ч е с к а я э л е к т р о т е х н и к а .
Мо с к в а , 1985 г . «Э н е р г и я », 1-2 ч а с т ь .
22.
Ма т х а н о в И.Н. О с н о в ы а н а л и з а э л е к т р и ч е с к и х
ц е р е й . Мо с к в а , 1985 г ., «Э н е р г и я ».
23.
Фе д о р о в
А .А .
Э л е к т р о с н а б же н и я
п р о м.
п р е д п р и я т и я . Мо с к в а , 1976 г . «Э н е р г и я ».
24.
В е н и к о в В .А . Ма т е ма т и ч е с к и е з а д а ч и э н е р г е т и к и .
Мо с к в а , «В ыс ша я шк о л а », 1980 г .
25.
Же р е б с о в
И.П.
О с н о в ы
э л е к т р о н и к и .
М.
Э н е р г о а т о ми з д а т 1989 г .
26.
www.pedagog.uz
27.
http://www.ziyonet.uz/
28. www. fizik. Ru
Do'stlaringiz bilan baham: |