Мирзаев жасурбек исраилович

Рис.4.4. Зависимость ширины запрещенной зоны квантовой ямы твердого раствора In_xGa_1-xAs от толщины квантовой ямы при отсутствии магнитного поля и при температурах 2К, 40К, 140К и 200К.



Рис. 4.5. Влияния поперечного квантующего магнитного поля на зависимость ширины запрещенной зоны твердого раствора In_xGa_1-xAs от толщины квантовой ямы.

Кроме того, как видно из этих рисунков, с ростом температуры график двигается вниз. На рис. 4.5 показаны влияния поперечного квантующего магнитного поля на зависимость ширины запрещенной зоны твердого раствора In_xGa_1-xAs от толщины квантовой ямы. Здесь, поперечные квантующие магнитные поля изменялись от 2 Тл до 5 Тл, и температуры равно Т=4К. Из этих рисунков видно, что при ширине квантовой ямы до 15 нм – величина запрещённой зоны резко меняется. Эти результаты получены с помощью формулы (4.8). В данной работе исследуются влияние температуры и поперечного квантующего магнитного поля на энергетический спектр носителей зарядов в квантово-размерных гетероструктурах с квадратичным законом дисперсии. А теоретическое описание и математическая модель, объясняющие эти процессы предлагает впервые. Эту формулу можно, также можно применять для других квантово- -размерных гетероструктурных материалов с прямоугольным законом дисперсии.

На рис. 4.6 приведена зависимость ширины запрещенной зоны квантовой ямы твердого раствора In_xGa_1-xAs от температуры при различных толщинах квантовой ямы (5 нм и 25 нм) и при отсутствии поперечного квантующего магнитного поля (B=0). В интервале температуры от 4К до 40К, для 2 различных ширин ям явно различаются. Но с ростом температуры (Т>77 K) наблюдается совпадение графиков в рисунке. Это естественно, так как, одним из основных условий квантования является низкая температура. Это все, свидетельствует от том, что предлагаемая нами модель подчиняется основным законам квантовой физики.
На рис. 4.7 показаны влияния поперечного квантующего магнитного поля на температурную зависимость ширины запрещенной зоны квантовой ямы твердого раствора In_xGa_1-xAs. Здесь, получен для В=5 Тл, 8Тл и 10 Тл и при d=5 нм.