Handbook of Photovoltaic Science and Engineering



Download 12,83 Mb.
Pdf ko'rish
bet72/788
Sana08.06.2022
Hajmi12,83 Mb.
#643538
1   ...   68   69   70   71   72   73   74   75   ...   788
Bog'liq
Photovoltaic science and engineering (1)

Figure 3.13
Simple solar cell structure used to analyze the operation of a solar cell. Free carriers
have diffused across the junction (
x
=
0) leaving a space-charge or depletion region practically
devoid of any free or mobile charges. The fixed charges in the depletion region are due to ionized
donors on the
n
-side and ionized acceptors on the
p
-side
where
φ
is the electrostatic potential,
q
is magnitude of the electron charge,
ε
is the
electric permittivity of the semiconductor,
p
o
is the equilibrium hole concentration,
n
o
is the equilibrium electron concentration,
N

A
is the ionized acceptor concentration, and
N
+
D
is the ionized donor concentration. Equation 3.82 is a restatement of equation 3.70
for the given conditions.
This equation is easily solved numerically; however, an approximate analytic solu-
tion for an abrupt
pn
-junction can be obtained that lends physical insight into the formation
of the space-charge region. Figure 3.13 depicts a simple one-dimensional (1D)
pn
-junction
solar cell (diode), with the metallurgical junction at
x
=
0, which is uniformly doped
N
D
on the
n
-type side and
N
A
on the
p
-type side. For simplicity, it is assumed that the each
side is nondegenerately doped and that the dopants are fully ionized.
Within the depletion region, defined by

x
N
< x < x
P
, it can be assumed that
p
o
and
n
o
are both negligible compared to
|
N
A

N
D
|
so that equation (3.82) can be
simplified to

2
φ
= −
q
ε
N
D
,
for

x
N
< x <
0
and

2
φ
=
q
ε
N
A
,
for
0
< x < x
P
(
3
.
83
)
Outside the depletion region, charge neutrality is assumed and

2
φ
=
0
for
x
≤ −
x
N
and
x

x
P
.
(
3
.
84
)
This is commonly referred to as the
depletion approximation
. The regions on either side
of the depletion regions are the quasi-neutral regions.
The electrostatic potential difference across the junction is the built-in voltage,
V
bi
,
and can be obtained by integrating the electric field,
E
= −∇
φ
.
x
P

x
N
E
d
x
= −
x
P

x
N
d
φ
d
x
d
x
= −
V (x
P
)
V (

x
N
)
d
φ
=
φ(

x
N
)

φ(x
P
)
=
V
bi
(
3
.
85
)



Download 12,83 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   68   69   70   71   72   73   74   75   ...   788




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish