Guruh talabasi 1 – laboratoriya ishi Mavzu

Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
- berilgan majmuadagi IMSlarning asosiy belgilanishlari;
- berilgan majmuadagi har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika;
- yarimo„tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni;
-mikroskop ostida kuzatilayotgan IMS kristalli strukturasining rasmi va shu
rasmga mos keluvchi texnologik bosqich mohiyatining bayoni.
2 – laboratoriya ishi
Mavzu: IMS belgilanish tizimini o‟rganib chiqish.
Ishning maqsadi: IMS topologiyasi bilan tanishish va IMS belgilanish
tizimini o„rganib chiqish.
Nazariy qism
Tayyorlov operatsiyalari. Yarimo„tkazgich IMSlar tayyorlash uchun asosiy
material bo„lgan - kremniy monokristal quymalari olishdan boshlanadi.
Monokristal quymalar hosil qilishning bir qancha usullari mavjud.
CHoxralskiy usulida tarkibiga donor yoki akseptor kiritmalar qo„shilgan
o„ta toza kremniy eritmasi yuziga kremniy monokristali tushiriladi. Eritma eritgan
monokristal o„z o„qi atrofida asta – sekin aylantirilib ko„tariladi. Monokristal
ko„tarilishi bilan eritma kristallanadi va kremniy monokristali hosil bo„ladi. Hosil
bo„lgan kremniy quymasi n– yoki p–turli elektr o„tkazuvchanlikka ega bo„ladi.
Quyma uzunligi 150 sm, diametri esa 150 mm va undan katta bo„lishi mumkin.
Gaz fazali va suyuq fazali epitaksiya usullari keng tarqalgan bo„lib, ular
monokristal asos sirtida n– yoki p–turli o„tkazuvchanlikka ega bo„lgan epitaksial
qatlamlar hosil qilish imkonini beradi.
Termik oksidlash. Termik oksidlash – kremniy sirtida oksid (SiO2) qatlam
(parda) hosil qilish maqsadida sun‟iy yo„l bilan oksidlashdan iborat jarayon. U
yuqori (1000†1200) 0S temperaturalarda kechadi.
IMSlar tayyorlashda SiO2 qatlam bir necha muhim funksiyalarni bajaradi:
sirtni himoyalovchi qatlam; niqob vazifasini bajarib, undagi tirqishdan zarur
kiritmalar kiritiladi; MDYA – tranzistorlarda zatvor ostidagi yupqa dielektrik
qatlam sifatida ishlaydi. Ishlatishga yaroqli kristallar qobiqlarga o„rnatiladi, bunda kristal avval
qobiqqa elimlanadi yoki kavsharlanadi. So„ng kristal sirtidagi kontakt yuzachalar
qobiq elektrodlariga ingichka (ø 20†30 mkm) simlar yordamida ulanadi. Simlar
ulanayotganda termokompressiyadan foydalaniladi, ya‟ni ulanayotgan sim bilan
kontakt yuzachasi yoki mikrosxema elektrodi 200†300 0S temperaturada va yuqori
bosimda bir – biriga bosib biriktiriladi. Montaj operatsiyalari tugagandan so„ng
kristall yuzasi atrof muhit atmosferasi ta‟siridan himoyalash uchun qobiqlanadi.
Odiiy integral sxemalarda chiqish elektrodlari soni 8-14 ta, KISlarda esa 64
tagacha va undan ko„proq bo„lishi mumkin. ISlar qobiqlari metall yoki
plastmassadan tayyorlanadi. ISlarning qobiqsiz turlari ham mavjud.
2. Laboratoriya mashg’ulotini bajarish uchun topshiriqlar.
2.1. IMS belgilanish tizimini o„rganib chiqish va berilgan IMSlar majmuidagi har
bir IMS uchun qisqacha xarakteristika berish: funksmonal vazifasi,
texnologgiyasining turi, qo„llanish sohasi, asosiy parametrlari va x.z.
2.2. Mikroskop yordamida kuzatilayotgan IMSkristallining strukturasini chizing va
tushuntirib berish.
3. Laboratoriya ishini bajarish uchun topshiriq:
3.1. Namoyish qiluvchi maket va ko„rgazmali qurollar bilan tanishib chiqing.
3.2. Berilgan majmuadagi IMSning nomkrini, turining klassifikatsiyasini va har bir
IMS turkumini aniqlang.
3.3. Ma‟lumotnomadan foydalanib o„rganilayotgan IMSga xarakteristika bering:
bajaradigan vazifasi, qo„llanio„sohasi, asosiy elektr parametrlari.
3.4. IMS tayyorlash asosiy bosqichlaridan foydalanib, IMS tayyorlash texnologik
bosqichlarining ketma – ketligi haqida umumiy bayon bering va ularga qisqacha
xarakteristika bering.
3.5. Rim o„tkazgich plastina namunasining mikroskopning ko„rinish sohasiga
o„rnating, aniq tasvirga erishing va ko„rinayotgan tasvirni chizib oling.
2.6. Kuzatilayotgan tasvir qaysi texnologik bosqichga ta‟luqli.
3.7. Mikroskop ostida tugallangan kichik va o„rta darajali integratsiyadagi IMS
topologiyasini ko„rikdan o„tkazing.
Hisobot mazmuni:
- berilgan majmuadagi IMSlarning asosiy belgilanishlari;
- berilgan majmuadagi har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika;
- yarimo„tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni;