Фотопроводимость полупроводников

ВАХ фотоэлемента в фотодиодном режиме

• Фотодиодный режим реализу- ется при приложении к p-n пере- ходу обратного напряжения сме- щения (квадрант 3). При после- довательном подключении нагруз ки между p-n переходом и ис-точником питания, в нагрузке про- текает фототок, пропорциональ- ный интенсивности освещения.

Фотодиодный режим работы фотодиода

• При подключении к освещенному p+-n переходу источника обратного смещения c напряжением U ток в цепи будет равен
• , (10)
• где .
• Подставляя значение jp-n в формулу (10), получим, что величина тока через освещенный p+-n переход определяется из выражения
• . (11)

При значениях обратного напряжения |U|>>φт равенство (11) можно записать в виде

• При значениях обратного напряжения |U|>>φт равенство (11) можно записать в виде
• . (12)
• Из формулы (12) следует, что при освещении p+-n перехода, находящегося под обратным сме-щением, величина обратного тока возрастает на величину фототока jф.
• В качестве примера ниже (рис. 8) представлено семейство вольтамперных характеристик постро-енных в соответствии с выражением (11) для раз-личных значений световых потоков,Ф, падающих на p+-n переход.