Фотопроводимость полупроводников


Фотогальванический эффект в p-n переходе



Download 294,5 Kb.
bet3/5
Sana28.06.2022
Hajmi294,5 Kb.
#715748
TuriЛитература
1   2   3   4   5
Bog'liq
Фотоэлектрические явления

Фотогальванический эффект в p-n переходе

  • Фотогальванический эффект заключа-ется в возникновении электрического тока (фототока) при освещении полупровод-никового p-n перехода, включенного в замкнутую цепь, или возникновении ЭДС на освещаемом образце при разомкнутой внешней цепи (фотоЭДС).
  • Физическая природа фотогальваниче-ского эффекта связана с поглощением света полупроводником при одновремен-ной генерации подвижных носителей – электронов и дырок.

Прибор, основанный на фотогальваническом эффекте, называется фотодиодом. Основой такого прибора является мелкий (глубиной 3…5 мкм) p+-n переход в эпитаксиальной пленке Si или Ge (рис. 5, а). Небольшая глубина p+-n перехода необходима для уменьшения поглощения светового потока Ф, достигающего перехода. С целью снижения объемного сопротивления кристалла эпитаксиальная пленка n-типа проводимости выращивается на подложке сильно легированного кремния или германия n+ типа проводимости

  • Прибор, основанный на фотогальваническом эффекте, называется фотодиодом. Основой такого прибора является мелкий (глубиной 3…5 мкм) p+-n переход в эпитаксиальной пленке Si или Ge (рис. 5, а). Небольшая глубина p+-n перехода необходима для уменьшения поглощения светового потока Ф, достигающего перехода. С целью снижения объемного сопротивления кристалла эпитаксиальная пленка n-типа проводимости выращивается на подложке сильно легированного кремния или германия n+ типа проводимости

Фотогальванический эффект

  • Устройство и принцип действия фотодиода

Семейство ВАХ фотодиода

  • Режим генерации фото ЭДС (фотовольтаический режим) осуществляется без подключе- ния внешнего напряжения. Ему соответствует квадрант 4 вольт- амперной характеристики (рис. 6). Этот режим применяется в солнечных батареях (элемен- тах).
  • Фотодиодный режим реали- зуется при приложении к p-n переходу обратного напряжения смещения (квадрант 3). При последовательном подключении нагрузки между p-n переходом и источником питания, в нагрузке протекает фототок, пропорцио- нальный интенсивности осве- щения.

Download 294,5 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©hozir.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling

kiriting | ro'yxatdan o'tish
    Bosh sahifa
юртда тантана
Боғда битган
Бугун юртда
Эшитганлар жилманглар
Эшитмадим деманглар
битган бодомлар
Yangiariq tumani
qitish marakazi
Raqamli texnologiyalar
ilishida muhokamadan
tasdiqqa tavsiya
tavsiya etilgan
iqtisodiyot kafedrasi
steiermarkischen landesregierung
asarlaringizni yuboring
o'zingizning asarlaringizni
Iltimos faqat
faqat o'zingizning
steierm rkischen
landesregierung fachabteilung
rkischen landesregierung
hamshira loyihasi
loyihasi mavsum
faolyatining oqibatlari
asosiy adabiyotlar
fakulteti ahborot
ahborot havfsizligi
havfsizligi kafedrasi
fanidan bo’yicha
fakulteti iqtisodiyot
boshqaruv fakulteti
chiqarishda boshqaruv
ishlab chiqarishda
iqtisodiyot fakultet
multiservis tarmoqlari
fanidan asosiy
Uzbek fanidan
mavzulari potok
asosidagi multiservis
'aliyyil a'ziym
billahil 'aliyyil
illaa billahil
quvvata illaa
falah' deganida
Kompyuter savodxonligi
bo’yicha mustaqil
'alal falah'
Hayya 'alal
'alas soloh
Hayya 'alas
mavsum boyicha


yuklab olish