Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
457 
ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР АРСЕНИДА-ГАЛЛИЯ 
МЕТОДОМ ПОРОШКОВОГО ДИФРАКТОМЕТРА 
 
Ш.Т Хожиев
1
., И.О Косимов
1
., У.Х Курбанова
2
., М.Ш Тешаев
2
.
 
1
Институт Биоорганической Химии Академии Наук РУз, г. Ташкент
 
2
ТашГТУ, г.Ташкент, ул.Университетская 2. 
Арсенид галлия (GaAs) – является одним из традиционных материалов 
полупроводниковой микроэлектроники и наибольшее распространение 
получил как один из основных слоев гетероструктур [1]. Благодаря развитию 
высоких технологии, последние получили распространение как материалы 
для ВЧ и СВЧ электроники (например, сотовой связи), полупроводниковые 
светодиоды и лазеры.
Дальнейшее развитие полупроводниковой микроэлектроники, связано с 
современными достижениями нанотехнологий, такими как квантовые точки и 
наногетероструктуры 
[1]. 
Отдельного 
упоминания 
заслуживают 
наноразмерные включения полупроводников в диэлектрические матрицы, 
такие как SiO2, Al2O3 и другие . Присутствие матрицы позволяет не только 
достроить 
внешние 
уровни 
пограничных 
атомов 
в 
результате 
взаимодействий, 
происходящих 
на 
границе 
раздела 
полупроводник/диэлектрик, но и защитить наноструктуры от внешних 
воздействий. Кроме того, упорядоченное расположение наноструктур 
определяет наличие когерентности свойств, благодаря сложению эффектов от 
отдельных наноструктур, что в конечном итоге является базисом появления 
уникальных оптических и электронных свойств массивов [1]. 
Наиболее совершенным и в связи с этим дорогим методом синтеза 
полупроводниковых наноструктур GaAs является молекулярно-лучевая 
эпитаксия (МЛЭ) , следует отметить, что при создании определенных условий 
напыления для получения GaAs с хорошей стехиометрией может быть 
использован более дешевый и технологически простой метод термического 
осаждения порошка материала [1]. 
Полученные 
плёнки 
GaAs 
были 
исследованы 
методами 
рентгеноструктурного и элементного анализа. Идентификацию образцов 
проводили на основе дифрактограмм, которого снимали на аппарате XRD-
6100 (Shimadzu, Japan), управляемом компьютером. Применяли CuK
α
-
излучение (β-фильтр, Ni, 1.54178 режим тока и напряжения трубки 30 mA, 40 
kV) и постоянную скорость вращения детектора 4 град/мин с шагом 0,02 
град. (ω/2θ-сцепление), а угол сканирования изменялся от 4 до 80
о
. Анализ 
результатов производился с использованием базы данных [2]. Элементный 
анализ образцов показывает, что арсенид-галлиевые плёнки имеют 
следующий состав (в весовых процентах): As-85,83 %, Ga–14,17%. 
Полученные данные методом рентгенофазового анализа, исследованных 

---