Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
425 
Рис. 2. Зависимость интенсивности фототока I
ф
от толщины пленок CdTe/Mo(111). 
 
После уменьшения 

на 2 эВ значение 

увеличивается до 80 – 90 Å. 
Если учесть, что фотоэлектронная работа е

выхода CdTe ~ 5,65 эВ, то при 
данной h

из чистого CdTe в вакуум выходят только фотоэлектроны, а 
“вторичные” электроны твердого тела образующиеся под действием 
фотоэлектронов из-за того, что h

< 2 не смогут, выходит в вакуум. При 
уменьшении e

на 2 эВ наиболее быстрые вторичные электроны могут, 
выходит в вакуум, что приводит к увеличению 

и I
Ф
. 
 
MODEL OF A NICKEL IMPURITY ATOM CLUSTER 
B.K. Ismaylov
1
, Kh.U. Kamalov
2
, Sh.Z. Ollamberganov
2
,
P.K. Dilimbetov
2
, S.M. Urakov
2

1
Tashkent State Technical University, Tashkent 
2
Karakalpak State University, Nukus 
 
Based on the experimental results obtained, a new phenomenon of diffusion 
of clusters of impurity nickel atoms in silicon was established [1-3]. The 
established diffusion of clusters of impurity nickel atoms is of certain scientific 
interest, since until now in the literature there were no physical models of diffusion 
of the clusters of impurity nickel atoms themselves, which take into account the 
structure, composition, and number of atoms in the clusters. Controlling the state 
and distribution of clusters of impurity nickel atoms in the silicon crystal lattice 
makes it possible to create a new class of semiconductor material with unique 
functional capabilities, as well as to create a new class of devices for 
optoelectronics, microelectronics and solar energy on its basis. 
0 
50 
60 
70 
80 
90 
100 
d, Å 
10 
20 
30 
40 
I
Ф
, 
отн.ед
. 

---