Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
423 
рассчитанные, по теорию ЛШШ сильно отличаются (

13

40 %) от пробегов, 
рассчитанных по формуле (1). С увеличением энергии ионов — это различие 
уменьшается (

5

7 %).
1.
Theodoropoloul N. A., et. all. Appl. Phys. Lett. 79, 3452, (2001) 
2.
Yarkulov U., Rad. Effects. V.83, p.233, 1984. 
3.
Lindhard J., et. all., Kgl., Danske Vid. Selskab., Mat.-Fys.Medd, 33, №14, 
1963. 
 
ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ И ГЛУБИНЫ
ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ ПЛЕНОК
CdTe С ПЛЕНКОЙ Ba 
 
Д.А. Ташмухамедова, Ё.С. Эргашов, М.Б. Юсупжонова, А.А. Камолов,
Ш.Шамсиев, Б.Е. Умирзаков. 
Ташкентский Государственный Технический Университет, 100095, ул.
Университетская, 2, Ташкент, Узбекистан. 
 
В настоящее время хорошо изучены влияния ионной имплантации на 
состав, электронную и кристаллическую структуру, эмиссионные и 
электрофизические свойства кристаллов Si, CdTe, GaAs, SiO
2
и CaF
2
. Однако 
изменение глубины выхода истинно-вторичных электронов (ИВЭ) и 
фотоэлектронов этих образцов при ионной бомбардировке являются мало 
изученными. Что касается глубины выхода ИВЭ образцов с субмонослойным 
покрытием различных элементов, то они практически не исследованы. В 
данной работе впервые изучена глубина 

и зона выхода 

/
истинно-
вторичных и фотоэлектронов CdTe и их изменения при адсорбции атомов Ва. 
Поликристаллические пленки CdTe с толщиной 50 – 500 Å получены 
на поверхности Mo (111) методом газофазной эпитаксии. После 
технологических обработок (полировка ионами Ar
+
в сочетании с прогревом 
до Т 

900 К) в сверхвысоком вакууме поверхность CdTe становится 
существенно гладкой, стехиометрический состав приближается к таковым 
для совершенных пленок CdTe. После многократного распыления и прогрева 
поверхности подложки получены сплошные поликристаллические пленки 
CdTe, начиная с толщины 50 – 60 Å. 
В таблице приведены зонно-энергетические параметры и глубина зоны 
выхода ИВЭ пленки CdTe/Mo (111) с субмонослойной пленкой Ba разной 
толщины. Толщина CdTe ~ 500 Å. Из таблицы видно, что при 

Ba
~ 1 
монослой значение 

уменьшается на ~ 2 эВ, а значения E
g
и глубина выхода 
неупругоотраженных электронов практически не меняется. При этом не 

---