Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
398 
малого входного сопротивления существенно уменьшить постоянную 
времени входной цепи ОУ и повысить быстродействие. 
Рис. 5. Вольтамперная характеристика ФД 
Напротив, режим близкий к XX, в фотогальваническом включении 
реализовать вообще затруднительно. В режиме XX передаточные
характеристики ФД существенно нелинейны и напряжение на диоде не 
может превосходить контактное напряжение полупроводника ᴪ
к
(U
к
< ᴪ
к
).
Для кремния ᴪ
к
< 1,2 В (реально U
вых
< 0,4 В). Этот режим, в основном,
используется для получения энергии от солнечных батарей (так называемые 
солнечные элементы).
Рис. 6. Режимы включения ФД с ОУ: а — фотогальванический 
(близкий к режиму КЗ);
б — фотодиодный по переменному току 
КПД фотоэлемента находится в пределах (5÷25) %, а в отдельных 
экземплярах до 40% и выше. В фотогальваническом режиме отсутствуют 
темновые токи и, следовательно, малы шумы. Но для обеспечения 
большего соотношения сигнал/шум и высокой обнаружительной 
способности следует применять малошумные ОУ [2]. 
Фотодиоды обладают исключительной стабильностью характеристик во 
времени, а в фотогальваническом режиме и в температурном диапазоне. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
399 
Поэтому 
они 
являются 
метрологической 
и 
технической 
базой 
оптоэлектроники, фотометрии и фотовольтаики. 
Литература
1.
Топильский В. Б. Схемотехника измерительных устройств / В. 
Б. Топильский. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2006. — 232 с.:
2.
Быстров Ю. А Оптоэлектронные приборы и устройства. Учеб, 
пособие. Изд третье. — М : ИП РадиоСофт, 2001.