Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
396 
3) Фотодатчики на приборах с зарядовой связью (ФПЗС). 
В данной статье рассмотрены первые 2 случая [1]. 
В фоторезисторах (ФР) используется явление изменения внутренней
фотопроводимости, т.е. изменение сопротивления резистивного элемента
под действием падающего излучения.
ФР является пассивным датчиком и его в простейшем случае 
включают в цепь делителя напряжения (рис.2). 
В схеме под влиянием светового потока меняется сопротивление ток
и выходной сигнал. Для изготовления фоторезисторов используются 
полупроводниковые материалы (в основном, сернистые и селеновые 
соединения кадмия (CdS), свинца (PbS), висмута, таллия, теллура), которые 
наносятся на изолированную подложку. Диапазон спектральной 
чувствительности зависит от материала ФР и простирается от 0,1 до 10-40 
мкм. 
В общем случае ВАХ ФР (рис. 3) нелинейная. 
Рис.2. Делитель напряжения на ФР Рис.3. ВАХ ФР 
Основные схемы включения ФР — это делители напряжения ,
мостовые и дифференциальные схемы. Две последние схемы позволяют
подавлять синфазные составляющие и различать малые градации в 
световом потоке при относительно большом фоне.
Вследствие нелинейной передаточной характеристики и температурной
нестабильности фоторезистор, в основном, применяется в пороговых 
схемах, 
охранных 
системах, 
фотометрических 
схемах
(фотоэкспонометрах), устройствах управления, тепловизорах.
Чувствительность ФР примерно на 3 порядка выше, чем у
фотодиодов. Это позволяет фоторезисторам работать, в ряде случаев,
непосредственно на исполнительное устройство, например фотореле. В 
случае, если используются предусилители, с помощью ФР могут 
фиксироваться очень малые световые потоки. 
Достоинства ФР: 
1) низкая стоимость, 
2) чрезвычайно высокая надежность (наработка на отказ более 100
тыс. часов), 

---