Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
231 
15. Robertson, J. Electronic and atomic structure of amorphous carbon / J. 
Robertson, E. O’Reilly // Physical Review B. – 1987. – Vol. 35. - №. 6. – P. 2946-
2957. 
16. Файзрахманов И. А. Модификация наноструктуры алмазоподобных 
пленок углерода бомбардировкой ионами ксенона / И. А. Файзрахманов, В. 
В. Базаров, А. Л. Степанов, И. Б. Хайбуллин // Физика и техника 
полупроводников – 2003. – Т. 37. Вып. 6. – С. 748. 
17. Файзрахманов И. А. Влияние имплантации ионов меди на 
оптические свойства и низкотемпературную проводимость углеродных 
пленок / И. А. Файзрахманов, В. В. Базаров, А. Л. Степанов, И. Б. Хайбуллин 
// Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т. 40. Вып. 5. – С. 419-425. 
ВЛИЯНИЕ ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ НА 
ПАРАМЕТРЫ БАРЬЕРА ШОТТКИ ПОДВЕРГНУТЫХ 
БАРИЧЕСКОМУ ВОЗДЕЙСТВИЮ
 
С Зайнабиддинов., Д.Э Назиров. 
АндГУ, Андижан 
 НУУз, Ташкент
[e-mail]  
В этой работе рассмотрена вольт-фарадная зависимость барьера 
Шоттки при наличии профиля распределения примеси в полупроводниковой 
подложке. Показана сильная зависимость параметров контакта от вида 
профиля распределения примеси.
При определении параметров диодов Шоттки емкостными методами
принимается, что легирующая примесь распределена равномерно по толщине 
полупроводниковой подложки. Однако, при наличии барического 
воздействия на исходную полупроводниковую подложку, равномерность 
распределения примеси нарушается, что может внести существенную 
погрешность в определяемые экспериментальные величины.
Следовательно, при определении параметров диодов Шоттки (таких 
как: 
величина 
потенциального 
барьера, 
глубина 
проникновения 
электрического поля в полупроводник, величина заряда локализованного в 
слое полупроводника, в близи границы раздела металл - полупроводник) 
емкостными методами, целесообразно перед проведением измерений, 
установить соответствие между изучаемым образцом и используемой 
физической моделью.
В частности, для получения достоверной информации о параметрах 
диода, целесообразно в начале установить наличие профиля распределения 
легирующей примеси. При определении параметров диодов Шоттки 

---