Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
165 
2. L.F. Thompson, C.G. Willson, M.J. Bowden, Introduction to Microlithography, 
2nd Ed. American Chemical Society: Washington, DC, 1994. 
3. W.M. Moreau, Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials, 
Plenum 
Publishing: 
New 
York, 
1988; 
У.Моро. Микролитография. 
М.Мир.1990.Т.1, 2. 
4. Лапшинов Б.А. Учебное пособие–МГИ электроники и математики. М., 
2011, 95 с. 
5. Зеленцов С.В., Зеленцова Н.В. Современная фотолитография.- Нижний 
Новгород, 2006, 56 с. 
СОЗДАНИЕ ГЕТЕРОВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР
НА ОСНОВЕ Gе
x
Si
1-x
И ИССЛЕДОВАНИЕ ИХ ПАРАМЕТРОВ 
Н.Ф. Зикриллаев, Г.А. Куйшиев, Б.К. Исмайлов, Б.А. 
Абдурахманов 
 
Ташкентский государственный технический университет, 
Узбекистан, 
100095 Ташкент, ул. университетская 2.
Тел:[phone], E-mail: [e-mail] 
:
 
 
На сегодняшний день формирование кластеров примесных атомов в 
кристаллической решетке полупроводниковых материалов представляет 
большой 
практический 
интерес. 
Формирование 
нанокластеров 
с 
управляемыми параметрами в решетке полупроводниковых материалов 
может служить основой технологии создания и получения объемно 
наноструктированного 
полупроводникового 
материала. 
Свойства 
и 
функциональные возможности таких материалов еще достаточно не изучены. 
Поэтому представляет большой практический и научный интерес 
формирование и управление состоянием нанокластеров примесных атомов в 
кремнии. В этом плане атомы Gе
x
Si
1-x
представляют особый интерес. 
Получение таких структур с определенными параметрами и свойствами 
позволяет существенно расширить спектральную область чувствительности 
приборов на основе Gе
x
Si
1-x 
и создать в дальнейшем на их основе новые 
фотоприемники и датчики. Диффузионная технология создания различных 
структур таких как Gе
x
Si
1-x
, это в основном связано с очень маленьким 
коэффициентом диффузии атомов Ge в Si (
D
~ 10
-14
см
2
/с) и большим 
временем диффузии.
Для получения таких структур как Gе
x
Si
1-x 
для этого нами
были 
проведены исследования с использованием диффузионной технологии, в 
качестве исходного материала был выбран монокристаллический кремний 
p

---