Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
17 
Контактное поле такого нано размерного р-n гетероперехода 
(определяется разностью работ выхода кремния и халькогенида свинца), 
простирается на несколько мкм и в значительной степени определяется 
большой 
величиной 
электроемкости 
халькогенида 
свинца. 
Это 
обстоятельство позволяет выбрать экономичную толщину кремниевой 
подложки и довести её до 80÷120 мкм [6-8]. 
Рассмотрим оптические свойства одиночного солнечного элемента с 
многими нано размерными р-n гетеропереходами. Световая вольтамперная 
характеристика легко определяется по его эквивалентной схеме
(см.рисунок), которая содержит самостоятельный «генератор» G светового 
тока I
L 
(вроде самостоятельный виртуальный источник электродвижущей 
силы ε): I
s 
= (I
L 
- I
d 
- U
р
/R
р
), где I
d 
= I
oo
·(e
αUp
- 1) - диодный ток, R
р 
- внутреннее 
параллельное сопротивление диода, U
р
- текущее напряжение, α = е/(A·k·T) – 
коэффициент, определяющий температурную (Т) зависимость, A –
коэффициент неидеальности. 
Эквивалентная схема электрической цепи солнечного элемента со 
многими независимыми и идентичными нано размерными гетеро переходами 
представляется в виде цепочки параллельно соединенных между собой n 
одиночных цепей. В таких цепях ток I через внешнюю нагрузку R 
формируется из независимых и идентичных n микро токов I
s
каждой 
одиночной цепи. Поэтому ток I можно представить в виде алгебраической 
суммы каждых n микро токов I
s 
, генерируемых в своих «генераторах» G:
I = n·I
s
= n·(I
L
- I
d
- U
р
/R
р
) (1) 

---