Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
Список литературы 
[1] M.K. Bakhadyrkhanov, B.K. Ismaylov, S.A. Tachilin, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev, 
SPQEO, 
23 
(4), 361 (2020). 
[2] M. K. Bakhadyrkhanov, S.B. Isamov, Z.T. Kenzhaev, D. Melebaev, Kh.F. Zikrillayev, 
G.A. Ikhtiyarova. Appl. Solar Energy. 
56 
(1), 13 (2020). DOI: 10.3103/S0003701X2001003X. 
[3] М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, ЖТФ, 
91 
(6), 979 (2021). 
[4] D.J. Fisher, Diffusion in Silicon 10 Years of Research. (Scitec publications. 2010). 
[5] И.Б. Чистохин, К.Б. Фрицлер. Письма в ЖТФ. 
46
(21), 11 (2020).
[6] В. В. Тогатов, П.А. Гнатюк, ФТП, 
39 
(3), 378 (2005). 
[7] J. Lindroos, D. P. Fenning, D. J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S. K. Estreicher, 
H. Savin and T. Buonassisi. J. Appl. Phys. 
113
, 204906 (2013). DOI: 10.1063/1.4807799. 
[8] V. L. Mazalova, O. V. Farberovich1, A. V. Soldatov, Journal of Physics: Conference 
Series 
640
, 012025 (2015).
 
 
 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
16 
ПОЛУФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОПРЕДЕЛЕНИЯ 
МАКСИМАЛЬНОЙ МОЩНОСТИ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА
Э.З. Имамов
1
, Р.А. Муминов
2
, М.А. Аскаров
3
, Х.Н. Каримов
1
 
1 
ТУИТ имени Мухаммада ал-Хоразмий  [e-mail] 
2
 НПО «Физика-Солнце» ФТИ АН РУз [e-mail]
 
3 
Каракалпакский государственный университет
 
Исследуется 
световая 
вольтамперная 
характеристика 
(СВАХ) 
солнечного элемента (СЭ), состоящего из большого числа включенных 
между собой параллельно устойчивых идеальных нано размерных р-n 
гетеропереходов.
На поверхности полупроводниковой подложки эти идеальные нано 
размерные р-n гетеропереходы вырастают в два этапа: на первом этапе
методом молекулярно лучевой эпитаксии осуществляется рост островковых 
нано включений на основе физического явления самоорганизации [1,2], а на 
втором этапе осуществляется формирование контактной структуры между 
материалом подложки и высоко кристаллическим островковым нано 
кластером из халкагенидов свинца (PbS, PbS, PbTl).
Известно [3], что физическое явление самоорганизации особенно 
успешно протекает естественным образом между высоко кристаллическими 
нано объектами. А это значит, что образование на первом этапе устойчивых 
островков нано включений будет преимущественно происходить в тех 
местах, где подложка содержит строго монокристаллические области. Любой 
реальный образец кремния в той или иной пропорции содержит как 
монокристаллические, так и неупорядоченные участки. Это означает, что 
даже технический кремний содержит 0,5÷1% строго монокристаллических 
участков. А это может вызвать рост на одном квадратном сантиметре 
поверхности подложки несколько сот миллионов островков нановключений. 
Именно в них осуществляется рост однородных когерентных равномерно 
расположенных островковых нано включений на основе физического 
явления самоорганизации и реализуется последующее формирование многих 
эпитаксиальных контактных структур или 
нано размерных р-n 
гетеропереходов (НРГП) [4,5]. 
Таким образом, каждый нано размерный р-n гетеропереход (НРГП) 
образован строго кристаллическими структурами и его можно рассматривать 
как идеальный солнечный р-n фотопреобразователь. Одна из его областей 
(например, р-область) - в трех измерениях наноразмерен (точечное 
нановключение или квантовая точка), а другая (например, n-область) область 
– в виде длинной кристаллической нити, в сечении наноразмерна и
направлена вглубь по толщине подложки.

---