Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
106 
В случае роста 

с
с увеличением температуры с отклонением от 
линейной зависимости 

с
(Т) необходим учет вклада иных механизмов 
токопереноса. В [7] предложена модель токопереноса в омических контактах 
с 
высокой 
плотностью 
дислокаций 
в 
приконтактной 
области 
полупроводника, учитывающая протекание тока через области малого 
размера, 
обогащенные 
электронами, 
хорошо 
описывающая 
экспериментальные зависимости роста 

с
с увеличением температуры. 
Однако существенным для этой модели, также как и для моделей, 
предложенных в [5,6] является необходимость экспериментального 
доказательства наличия высокой плотности дислокаций в тонком 
приконтактном слое полупроводника, что требует корректных структурных 
исследований сколов омических контактов. 
Приведенные в [7] результаты моделирования 

с
(Т) и сравнение их с 
экспериментом изменяют сложившиеся представления о механизмах
формирования омических контактов и создают предпосылки для разработок 
новых технологий изготовления омических контактов для различных типов 
полупроводниковых приборов, в приконтактной области которых в процессе 
изготовления возникает высокая плотность структурных дефектов. 
 
Литература 
1.
Лебедев А., Сбруев С. SiC-электроника: прошлое, настоящее, будущее. 
//Электроника: Наука. Технология. Бизнес. 2006. №5. с.23-41. 
2.
Ральченко В., Конов В. CVD-алмазы. Применение в электронике. // 
Электроника: Наука. Технология. Бизнес. 2007. №4. с.58-67. 
3.
Болтовец Н.С., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Коростинская Т.В., Кривуца 
В.А., Литвин О.С., Миленин В.В., Болшаков А.П., Ральченко В.Г. 
Формирование линий передач СВЧ интегральных схем на подложках 
синтетического алмаза. //Техника и приборы СВЧ. 2009. №2. с.26-30. 
4.
Данилин В.Н., Докучаев Ю.П., Жукова Т.А., Комаров М.А. Мощные 
высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового 
поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN. 
//Обзоры по электрон. техн. Сер. 1. Электроника СВЧ. М.: ГУП НИИ 
«Пульсар» 2001. 137 с. 
5.
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А. Механизм протекания тока в омических 
контактах металл-полупроводник. Обзор. //ФТП. 2007. Т.41. №11. с.1281-
1308. 

---