Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
105 
ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ФОРМИРОВАНИЯ
ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ШИРОКОЗОННЫМ 
ПОЛУПРОВОДНИКАМ 
 
Р.В.
 
Конакова
1
, К.А. Исмайлов
2
. 
1
Институт физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева НАН Украины, 
Киев, Украина, [e-mail] 
Каракалпакский госуниверситет им.Бердаха, Нукус 
[e-mail] 
Согласно литературным данным[1-3] в последние годы интенсивно 
развивается новое направление в полупроводниковой электронике – 
экстремальная электроника. На основе широкозонных полупроводников SiC, 
GaN, алмаза разработан ряд дискретных микроволновых приборов и 
интегральных схем. Кроме использования этих материалов для создания 
активных слоев приборов, SiC и алмаз применяют в качестве подложек при 
эпитаксии (SiC) и теплоотводов (SiC, алмаз). 
Однако до сих пор реальные параметры микроволновых приборов, 
использующих в качестве активных слоев SiC, GaN и алмаз далеки от 
расчетных. Это обусловлено не только высокой дефектностью 
гетероструктур, создаваемых на основе этих материалов, но и сложностью 
изготовления к ним омических контактов, которые из-за высокой рабочей 
температуры таких приборов ( > 500
0
С) и требуемой стойкости к тепловым 
перегрузкам должны формироваться при температуре значительно 
превышающей рабочую [4].
Как правило, изготовление омических контактов к GaN, в основном, 
осуществляется при Т~900
0
С, а к SiC при Т~1000-1100
0
С. Особенностью 
таких омических контактов является высокая дефектность приконтактного 
слоя полупроводника, являющаяся в ряде случаев следствием формирования 
сплавного контакта. При измерении температурной зависимости удельного 
контактного сопротивления 

с
в подобных омических контактах оказалось, 
что 

с
(Т) не описывается классическими механизмами токопереноса – 
термоэлектронным, термополевым и полевым, а 

с
растет с увеличением 
температуры измерения. Такие температурные зависимости находят 
объяснение в предположении наличия токопереноса по металлическим 
шунтам, локализованным на дислокациях [5,6], что характерно для 
металлической проводимости и линейной зависимости 

с
(Т).

---