Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
412 
Литература
1.
Ong D.S. ,Li K.F. ,Rees G.J. ,Dunn G.M. ,David J.P.R. ,Robson P.N. 
A Monte Carlo investigation of multiplication noise in thin 
p
+
-i-n
+
GaAs 
avalanche photodiodes//IEEE Transactions on Electron Devices, 1998, V. 45, I. 8, 
pp 1804-1810 DOI: 10.1109/16.704382 
2.
Иващенко В.В., Митин В.М. Моделирование кинетических 
явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. Киев. Издательство 
Наукова Думка. 1990 
3.
Jabs D., Jungemann C., Bach K.H. A Robust Algorithm for 
Microscopic 
Simulation 
of 
Avalanche 
Breakdown 
in 
Semiconductor 
Devices//IEEE transactions on electron devices, 2015 V. 62, N. 8, pp 2614-2619 
DOI: 10.1109/TED.2015.2446132 
4.
Zhou X. , Ng J.S., Tan C.H. A simple Monte Carlo model for 
prediction of avalanche multiplication process in Silicon//Journal of 
Instrumentation, 2012, 7(08) pp 1-10 DOI: 10.1088/1748-0221/7/08/P08006 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
413 
СЕКЦИЯ 6. ФИЗИКА МАТЕРИАЛОВ ФОТОНИКИ И 
СПИНТРОНИКИ 
ТЕРМОДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИИ,
ЛЕГИРОВАННОМ
Sm, Gd, Er, Tm и Yb 
 
С Зайнабиддинов., Д.Э Назиров 
АндДУ, Андижан, НУУз, Ташкент
[e-mail] 
Концентрации примесей 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
в кремнии, определенные 
по прямым методом меченых атомов (с использованием метода DRTM) и 
нейтронного активационного анализа (НАА) составляли: 
N
рзэ
=5

10
15 

5

10
19 
cм
-3
. С помощью ИК-микроскопии в образцах выявлено образование 
дислокаций. 
Установлено 
что, 
при 
концентрациях 
исследуемых 
редкоземельных элементов в кремнии N
рзэ

10
16 
см
-3
, начинается выпадение 
второй фазы. Результаты электрических измерений показывают, что 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
в кремнии в исходном состоянии находятся в электрически 
неактивном состоянии. Исследования влияния термических обработок 
(900

1200
0
С) в течении 1-2 часов на воздухе и в откачанных ампулах с 
последующей закалкой или медленным охлаждением показывают, что 
преципитация кислорода происходит меньше в 
Si
<РЗЭ>, чем в контрольных 
образцах.
Изучение результатов изотермической релаксациия показывает, что 
Sm
, 
Gd
, 
Er
, 
Tm
и 
Yb
в кремнии выступают при термических обработках в 
качестве геттера для неконтролируемых примесей и структурных дефектов. 
Установлено, что концентрации глубоких уровней 
Е
С
-0,17 эВ, 
Е
С
-0,2 эВ, 
Е
С
-
0,32 эВ, 
Е
С
-0,41 эВ, 
Е
V
+0,4 эВ в образцах 
Si
<РЗЭ> намного меньше, чем в 
контрольных образцах, прошедших соответствующие этапы термических 
обработок.
Термические обработки в интервале температур 1373

1473 
K
, в течении 
2 часов с последующей закалкой в масле или медленным охлаждением, 
привела к компенсации всех образцов 
Si
<
РЗЭ
>, в следствии чего методом 
ИРЕ во всех исследуемых образцах в интервале температур 77

300 
К
перезарядки каких-либо центров не обнаружено (
N
d 
< 5

10
11
см
-3
), т.е. 
измеряемая емкость барьеров Шоттки, изготовленных на основе Si<РЗЭ> с 
концентрацией РЗЭ в кремнии 
N
рзэ 

5

10
16 
см
-3
, не зависела от величины 
приложенного напряжения до температур ~ 80 
K
и для образцов с 
концентрацией 
РЗЭ
в кремнии 

10
17
cm
-3
до 100 
К
, т.е. 
С
b
~ 
C
h
, причем 
степень компенсации в быстроохлажденных образцах была высокой.
Термическая обработка при 1173 
К
и более приводит к уменьшению 
концентрации ионизованных центров в образцах кремния, легированного 

---