Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
401 
типов полупроводниковых термодатчиков находится в пределах от 700 до 
15000 К. 
 
Pиc. 1. Пoведение сопротивления полупроводникового термодатчика 10 кOм c 
OTK
 
Коэффициент температурной чувствительности может быть найден 
экспериментально путем измерения сопротивлений полупроводникового 
термодатчика при температурах Т
0
и Т:
 
T
1
T
1
R
o
R
ln
B


о
. (3)
 
Температурный коэффициент сопротивления показывает относительное 
изменение сопротивление термистора при изменении температуры на один 
градус:
 
dT
dR
R
1
TKR

. (4)
 
Температурный коэффициент сопротивления зависит от температуры, 
поэтому его необходимо записывать с индексом, указывающим температуру, 
при которой имеет место данное значение. Зависимость температурного 
коэффициента от температуры можно получить, использовав уравнения (4) и 
(1):
2
T
B
TKR


. (5)
 
Значение температурного коэффициента сопротивления при комнатной 
температуре различных термисторов находится в пределах –(0,8

6,0)·10
-2
град
-1
.
 
Статической вольт-амперной характеристикой полупроводникового 
термодатчика называют зависимость падения напряжения на датчике от 
проходящего через него тока в условиях теплового равновесия между 
термистором и окружающей средой. 
 
На рис. 2. представлены статические вольтамперные характеристики 
полупроводниковых термодатчиков.