Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
400 
Значительную часть полупроводниковых термодатчиков выпускаемых 
промышленностью, изготавливают из поликристаллических окисных 
полупроводников, в которых преобладает ионная связь. Электропроводность 
этих материалов отличается от электропроводности ковалентных 
полупроводников. Как правило, полупроводниками являются окисла так 
называемых переходных металлов, для которых характерно наличие 
незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. В 
результате при образовании окисла в определенных условиях (наличие 
примеси, отклонение от стехиометрии) в одинаковых кристаллографических 
положениях оказываются ионы с разными зарядами. Обменом электронами 
между 
этими 
ионами 
объясняется 
электропроводность 
окисных 
полупроводников. 
 
Из-за сильного взаимодействия носителей заряда с ионами подвижность 
носителей в окисном полупроводнике оказывается довольно низкой и 
экспоненциально возрастающей с ростом температуры. В результате 
зависимость сопротивления окисного полупроводника от температуры такая 
же, как и у ковалентных полупроводников, но коэффициент температурной 
чувствительности характеризует в этом случае изменение подвижности 
носителей заряда, а не изменение их концентрации.
 
В окислах ванадия V
2
O
4
и V
2
O
3
при температуре фазовых превращений 
(68 и -110

С) наблюдается увеличение проводимости на несколько порядков. 
На основе этих окислов созданы термисторы с очень большим 
температурным коэффициентом сопротивления.
 
В полупроводниковых термодатчиках сопротивление изменяется или 
под влиянием тепла, выделяющегося в них при прохождении электрического 
тока, или в результате изменения температуры окружающей среды. 
Температурная характеристика. Под температурной характеристикой 
полупроводникового 
термодатчика 
понимают 
зависимость 
его 
сопротивления от температуры, выражаемую формулой (1). Пример 
температурной характеристики одного из термисторов
 
приведен на рис. 1. 
Номинальное сопротивление – это сопротивление полупроводникового 
термодатчика при определенной температуре окружающей среды. Обычно 
для 
большинства 
полупроводниковых 
термодатчиков 
указывают 
номинальные сопротивления при 20 или 25

С. Полупроводниковые 
термодатчики изготовляют с допустимым отклонением от номинала 

20, 10 и 
5 %. Номинальные сопротивления различных типов полупроводниковых 
термодатчиков имеют значения от нескольких ом до нескольких сотен 
килоом.

Коэффициент температурой чувствительности В – это коэффициент 

в показателе экспоненты температурой характеристики полупроводникового 
термодатчика (1) Значение этого коэффициента, зависящее от свойств 
материала полупроводникового термодатчика, практически постоянно для 
данного термодатчика в рабочем диапазоне температур и для различных 

---