Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

 
Литература 
1. H. Haken // Synergetics // Springer, Berlin-Heidelberg, 1997. 
2. V.A.,ShchukinN.N.LedentsovP.S.Kop’evD.Bimberg. Spontaneous 
ordering of arrays of coherent strained islands. Phys.Rev.Lett. V.75. №16.
P.2968-2971. (1995) 
3. Н.Н.ЛеденцовВ.М.УстиновС.В.Иванов и др. /Упорядоченные 
массивы квантовых точек в полупроводниковых матрицах. УФН..Т.166.№4. 
С.423-428. (1996) 
4. Н.Н.ЛеденцовВ.М.УстиновВ.А.Щукин и др. Гетеро структуры с 
квантовыми точками: получение, свойства, лазеры . ФТП.1998.Т.32.№4. 
С.385-410. 

---

Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
41 
5. V.Stancu, E.Pentia, A.Goldenblum, M.Buda, G.Iordache, T.Botila.
Romanianjournalofinformationscienceandtechnology.Vol.10, №1, 53–66 (2007) 
6. А.А.Раскин, В.К.Прокофьева. Технология материалов микро, опто- и 
нано электроники, в двух томах БИНОМ, Лаборатория знаний, Москва 
(2010). 
7. Цой Б. Патент в Евразийском патентном ведомстве (EP2405487 A1.
08.30. 2012) 
8. Цой Б. Патент во всемирной организации интеллектуальной
собственности (№WO 2011/040838 A2 07. 04.2011) 
9. Imamov E.Z., MuminovR.A. RakhimovR.Kh. /Analysis of the efficiency of 
a solar cell with nano-dimensional hetero transitions /Computational 
nanotechnology. №5, Р.47-56 (2021)
OPTICAL CHARACTERIZATION OF CdZnTe/ZnTe 
HETEROSTRUCTURES MODIFIED BY ELECTRON
OR X-RAY IRRADIATION 
 
M. Sharibaev
1
, D. Asеnbayeva
2
 
1
Berdakh Karakalpak State University (Nukus, Uzbekistan) 
2
Nukus Branch of the Tashkent University of Information Technologies 
Strained II

VI low-dimensional heterostructures are of great interest due to a 
possibility of efficient production of coherent and incoherent light-emitting devices 
that cover practically the whole visual spectral region. However, their potentialities 
for fabrication of such emitting devices as lasers (including those with e-beam 
pumping [1]) are limited by short time of operation. The reason for this lies in 
degradation processes occurring during lasing, structure growth process and/or 
post-growth treatments. Degradation of these heterostructures usually is attributed 
to dislocation generation and multiplication in the device active area. Point defect 
generation or their transformation, as well as stress relaxation, may play an 
important role in such processes too. In this work the effect of electron and X-ray 
irradiation on the optical properties of CdZnTe/ZnTe quantum-size structures has 
been investigated. Electron irradiation is known to result in generation of both 
point defects and electron-hole pairs, while X-ray treatment produces free carriers 
only. 
 
We studied the II

VI/GaAs structures containing both ZnTe epilayers and ZnTe 
epilayer with Cd
x
Zn
1-
x
Te quantum wells (QWs) of different widths 
L
Z
. They were 
MBE-grown using a KATUN’ machine equipped with conventional effusion cells 
for high-purity elements. The residual pressure in the chamber was ~ 10
-8
Pa. After 
oxygen removal the (001) GaAs substrate was cooled from 580 

C down to room 
temperature and then covered by an amorphous ZnTe layer 5 nm thick that was 

---