Fotoenergetikada nanostrukturali yarimo‘tkazgich materiallar II xalqaro ilmiy anjumani

II xalqaro ilmiy anjumani 
 
19-20 noyabr 2021 yil 
221 
Бунда нанокластерлардаги киришма энергетик сатхлар ва мини зоналардаги 
энергетик сатхлар ионланиш энергияси ўзгаришининг қўшган ҳиссаси E
g 
нинг ўзгаришига қараганда сезиларли даражада катта. Кремнийдаги маргенц 
атомлари нанокластерлари концентрациясини ва зарядланганлик даражасини 
ўзгартириш орқали тензо сезгирликни кенг кўламда ўзгартириш мумкин. Бу 
эса нафақат янги синф тензодатчиклари яратишнигина эмас, балки хажмий 
наноструктурали материаллар тензо эффектини тадқиқ қилиш ва амалиётда 
қўллаш билан боғлиқ бўлган янги илмий йўналишга асос солиш демакдир.
Хулосалар.
Марганец атомлари нанокластерлари ҳосил қилинган кремнийнинг 
тензо хусусиятлари киришма атомлари нанокластерлари ҳосил қилинмаган 
кремнийнинг тензо хусусиятларидан кескин фарқ қилади. Ҳарорат ва 
ёруғликнинг ортиши билан бундай материалларнинг тензо сезгирлиги янада 
ортиши аниқланди. Олинган экспериментал натижалар локал деформация 
таъсирида марганец нанокластерлар ҳосил қилинган энергетик спектрлари 
ўзгариши билан боғлиқ бўлиб, ҳарорат ва ёруғликнинг ортиши 
нанокластерлар зарядланганлик холатининг ўзгаришига ва ўз навбатида 
материал 
тензо 
сезгирлигининг 
ортишига 
олиб 
келиши 
билан 
тушунтирилади.
Адабиётлар 
1. 
А. А. Дружинин, А. П. Кутраков, Н. С. Лях-Кагуй, А. М. Вуйцик. 
Двухфункциональный датчикдавления-температуры на основе нитевидных 
кристаллов кремния // Технология и конструирование в электронной 
аппаратуре, 2013, №4. С. 23-26. 
2.
Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Зикриллаев Х.Ф.
Влияние 
одноосного сжатия на фотопроводимость сильнокомпенсированного Si Mn>. // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24. - №22. – стр. 23 - 28. 
3.
Бахадырханов М.К., Аюпов К.С., Мавлянов Г.Х., Илиев Х.М., Исамов 
С.Б.
Фотопроводимость кремния с нанокластерами атомов марганца // 
Микроэлектроника. Москва, 2010. Т. 39. Вып. 6. С. 426-429.
4. 
Bakhadyrkhanov M. K., Mavlonov G. Kh., Isamov S. B., Iliev Kh. M, 
Ayupov K. S., Saparniyazova Z. M., and Tachilin S. A.
Transport Properties of 
Silicon Doped with Manganese via Low_Temperature Diffusion // Inorganic 
Materials. Russia. 2011, Vol. 47, No. 5, pp. 479–483. 
5. 
A.S.Muratov, А.B.Каmаlоv, S. A. Tursinbaev.
Installations for studying 
the strain properties of silicon with nanoclusters of impurity atoms // Science and 
Education in Karakalpakstan. 2021 №2 (17). ISSN 2181-9203. С. 4-7. 
6.
 С.А.Турсынбаев, А.Б.Камалов, Х.М.Илиев, C.Б. Исамов, С.А.Тачилин
Тензоэлектрические свойства кремния с нанокластерами атомов марганца.// 
Приборы, 2021. №6. С. 51-55. 
7. 
Турсынбаев С.А., Камалов А.Б., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Кушиев 
Г.А. 
Тензосвойства кремния с нанокластерами// Физика полупроводников и 

---