Fotoelektronik qurilmalar

Fotodiod xususiyatlari

Fotodiodning xususiyatlari quyidagi xususiyatlar bilan tavsiflanishi mumkin:

Fotodiodning oqim kuchlanish xarakteristikasi doimiy yorug'lik oqimidagi yorug'lik oqimi va 1 t qorong'u oqimning voltajga bog'liqligidir.

Fotodiodning yorug`lik xarakteristikasi fototokning yoritishga bog`liqligidan kelib chiqadi. Borayotgan yoritish bilan fotosurat kuchayadi.

Fotodiodning spektral xarakteristikasi fotodokning tushayotgan nurning to'lqin uzunligiga fotodiodga bog'liqligidir. U uzun to'lqin uzunliklarida tasma oralig'i bilan, qisqa to'lqinlarda esa katta yutilish koeffitsienti va yorug'lik kvantlarining pasayishi bilan zaryad tashuvchilarning sirt rekombinatsiyasi ta'sirining oshishi bilan aniqlanadi. Ya'ni qisqa to'lqin uzunlikdagi sezgirlik chegarasi taglik qalinligi va sirt rekombinatsiya tezligiga bog'liq. Maksimalning fotodiodning spektral xarakteristikasidagi o'rni yutilish koeffitsientining o'sish darajasiga juda bog'liq.

Vaqt konstantasi - fotodiod oqimi yoritilgandan keyin yoki fotodiod barqaror holat qiymatiga nisbatan e (63%) koeffitsienti bilan qoraygandan keyin o'zgaradigan vaqt.

To'q qarshilik - bu yorug'lik bo'lmaganda fotodiodning qarshiligi.

Integral sezgirlik quyidagi formula bilan aniqlanadi:

bu erda 1 f - fototok, f - yoritish.

Atalet

Qat'iylikka ta'sir qiluvchi uchta jismoniy omil mavjud:

1. muvozanatsiz tashuvchilarning diffuziya vaqti yoki t tayanch orqali siljishi vaqti;

2. pn o'tish orqali parvoz vaqti t,;

3. RC 6 ap vaqt sobitligi bilan tavsiflangan pn birikmasining to'siq sig'imining zaryad vaqti.

Teskari voltajga va bazadagi aralashmalarning kontsentratsiyasiga bog'liq bo'lgan pn birikmasining qalinligi odatda 5 mkm dan kam, ya'ni m 0,1 ns. RC 6 ap pn birikmasining to'siq sig'imi bilan aniqlanadi, bu fotodiod poydevorining kuchlanishi va tashqi zanjirdagi kam yuklanish qarshiligiga bog'liq. RC 6 ap odatda bir necha nanosaniyadir.