Fotoelektron asboblar тashqi va ichki fotoeffektli fotoelementlar

Fotoelektron ko‘paytirgichlar
Fotoelektron ko‘paytirgich tashqi fotoeffektli elektrovakuum fotoelementlarning xili hisoblanadi. Fotoelektron ko‘paytirgichlar rus injeneri L.A.Kubetskiy tomonidan 1930-yilda ixtiro qilingan.


Fotoelektron ko‘paytirgich deb, shunday fotoeffektli fotoelementga aytiladiki, unda fototok kuchayishi ikkilamchi elektron emissiyadan foydalanish yo‘li bilan amalga oshiriladi (2.28-rasm). Fotoelektron ko‘paytirgichlarning kamchiligi vaqt o‘tishi bilan sezgirligining pasayishi (qarishi) hisoblanadi, undan tashqari ularga katta kuchlanishli manba talab qilinadi (2300 V gacha).

Fotorezistorlar
Yorug‘lik ta’siri ostida elektr o‘tkazuvchanligi o‘zgaradigan asboblarga fotorezistorlar deyiladi. Fotorezistorlarda material sifatida selen, talliy, svines, vismut, kadmiy va boshqa yarimo‘tkazgichlar ishlatiladi. Yarimo‘tkazgichni yoritishda o‘tkazuvchi maydondan o‘tadigan elektronlar soni va elektr o‘tkazuvchanligi ortadi.

Yorug‘lik tavsifi, volt-amper tavsifi, spektral tavsifi fotorezistorlarning asosiy tavsiflari hisoblanadi. Fotorezistorlar integral sezgirligining yuqoriligi sababli, ular avtomatika va telemexanikaning ba’zi bir qurilmalarida keng ishlatiladi (2.29-rasm)

Quyosh fotoelementlari va fotodiodlar, ularning ishlatiladigan sohasi
Ventilli fotoelementlarda yorug‘lik energiyasi to‘g‘ridan to‘g‘ri elektr energiyasiga aylanadi, shuning uchun ularga begona tok manbalari kerak bo‘lmaydi. 1954-yildan boshlab ventil fotoelementlari quyosh batareyalarini yasashda ishlatilmoqda. Bunday quyosh batareyalarini Yerning sun’iy yo‘ldoshlarida muvaffaqiyatli ishlatilib kelinmoqda. O‘zbekistonda bunday batareya Тoshkent viloyatining Kumushkon qishlog‘ida joylashgan. Quyosh fotoelementining tuzilishi juda oddiydir. U n-tipidagi kremniy plastinkasidan iborat bo‘lib, unga mishyak atomi aralashma sifatida kiritilgan. Plastinka yuzasiga diffuziya orqali vakuumda bor elementi kirgiziladi, u teshikli elektr o‘tkazuvchi maydon hosil qiladi (2.30-rasm). p –elektr o‘tkazuvchanlikning qalinligi 2ч3 mkm dan oshmaydi, shuning uchun yorug‘lik energiyasi p-n o‘tish hududiga oson kiradi.

Elektron-teshik o‘tishi teskari qarshiligining yorug‘lik ta’sirida o‘zgarishi xususiyatini ishlatadigan asbobga fotodiod deyiladi. Fotodiodlarning sezgirligi juda yuqori bo‘lganligi ularni hisoblash va o‘lchov texnikasi avtomatikasi qurilmalarida ishlatishga imkon beradi (2.31-rasm). Fotodiodlar FD deb belgilanadi.