Fizikaviy elektronika

2.3.  Eksperimental   natijalar 

           Bu    ishda    Cs    ning    atomar    oqimini    hosil    qilish    uchun    Knudsen  

yacheykasidan    foydalanildi.    Cs      oqimi    vaqt    mobaynida    berkitilib,    ochilib  

turiladi.      Zarrachalar    oqimini    boshqarish    yuqorida    keltirilgan    zarrachalar  

oqimini    boshqarish    qurilmasi    yordamida    amalga    oshirildi.    Knudsen  

yacheykasining  temperaturasi  310-330

   ushlab  turildi. 

          Ion    toklarini    ushlashda    emitterga    yerga    nisbatan    300  V    kuchlanish  

berildi.           Emitter    harorati      ВИМП-015М      optik      mikropirometr    yordamida  

nazorat  qilib  turildi.  

          Cs    atomlarining    sirtiy    ionlashish    tokining    temperaturaga      bog’liqligi        

2.6-rasmda  keltirilgan. 

          Sirtga  tushayotgan  zarrachalar  oqimi  ν=

 at/

  bo’lgan  holda  

termoemitter    temperaturasi    980  K    dan    yuqori    bo’lganda    volfram    emitter  

sirtida    amalda    100

      li    ionlashish    kuzatiladi.   Bundan    foydalanib    Knudsen  

yacheykasining    temperaturasiga    bog’liq    ravishda    oqimlar    baxolandi.  

Oqimlarning  Knudsen  yacheykasiga  bog’liqligi  quyidagi  jadvalda  keltirilgan. 

                                                                                            1-Jadval 

Knudsen 

 

yacheykasi 

temperaturasi 

ν

 at/

 

 

60

 

2.5 

 

80

 

165 

 

100

 

44 

 

120

 

62 

 

 

---

 

    

 

 

 

                  2.6-rasm. 

 ionlari tokining temperaturaga bog’liqligi. 

 

 

 

 

 

---

 

          Shundan    so’ng    volframning  W(100)    qirrasidagi    Cs    atomlarining  

adsorbsiya    izotermalari    olindi.    Olingan    izotermalar  ikki    temperatura  uchun 

bo’lib quyidagi 2.7- rasmda  keltirilgan. 

  

 

 

         2.7-rasm    ikki  xil  temperaturada  Cs  atomlarining  W  sirtidagi  adsorbsiyasi                    

egri chiziqlari 

               1 -575 K 

               2 -555 K       

   

---

 

          Yuqori    kritik  temperaturalarda  maksimumsiz  bo’lib,  bu  narsa  birinchi  va 

ikkinchi qatlamlardagi Cs atomlarining bog’lanish energiyalari bilan tushuntirilishi 

mumkin.  Haqiqatdan  ham  muvozanatli  qoplanish  darajasiga  erishgandan  so’ng 

atomlar oqimini to’xtatib qo’yish emission tokni o’zgarmasligiga olib keladi  2.8-

rasm. 

     

                 

                    2.8- rasm Cs atomlari adsorbsiyasi izotermalari  

---

 

          Kritik  temperaturalardan  past  temperaturalarda  zarrachalarning  oqimini 

to’xtatib qo’yish emission tokining ortishiga olib keledi. Kritik temperaturalardan 

yuqorida  esa  ma’lum  vaqt  o’tgandan  so’ng  emission  tok  kamayadi  bu  qoplanish 

darajasining o’zgarishi, ya’ni Cs atomlari sonining kamayishi bilan tushuntirilishi 

mumkin.  Birinchi  qatlamdan  ikkinchisiga  o’tganda  bug’lanish  issiqligi  keskin 

kamayadi. 

          Kritik  temperaturalardan  yuqori  temperaturalarda  birinchi  qatlamdagi  Cs 

atomlari  deyarli  uchib  chiqib  ketadi  va  chiqish  ishi  ortib  boradi,  demak  emission 

tok kamayadi elektronlar toki, ionlar toki esa ortadi. 

          2.9-rasmda tokning temperaturaga bog’liqligi grafiklari keltirilgan . 

 

 

 

 

 

 

 

---

 

 

 

          

           2.9-rasm. Zarrachalar oqimi 

 at/

  bo’lgan holda W sirtidan 

Cs ionlari uchun   

  bog’lanish grafiklari. 

 

---

 

 

           Xar  qanday  muvozanatli  qoplanish  darajalari  uchun  adsorbsiyalanaotgan 

atomlar va oqimlarning bug’lanish issiqligining tengligi quyidagicha aniqlanadi: 

            

  

  

Bu yerdan  

            

    

Bug’lanish  grafiklari  qiyaligi  orqli  bug’lanish  issiqligi  aniqlanishi  mumkin.  Biz 

olingan natijalar bo’yicha quyidagi  2.10-rasmda keltirilgan bog’lanish grafiklarini 

oldik. 

 

 

              2.10-rasm.            

   bog’lanish grafiklari. 

 

---

 

   

      formula  yordamida  hisoblashlarni  amalga 

oshirdik. 

bu yerda   N-optimal qoplanish darajalarida atomlar konsentratsiyasi. 

2.10-rasmdagi     

 

      bog’lanish  grafigi  qiyaligidan 

 

kelib chiqadi.  

          

  ionlari  uchun  esa  ion  toklarining  o’zgarishi  orqali 

 

aniqlandi.Olingan  natijalar  shuni  ko’rsatadiki,  bo’sag’a  temperaturalari  atrofida 

ionlar  tokining    vaqtga  bog’lanishlari  yuzaga  keladi  va  bu  hol 

  ionlarining 

bug’lanish  energiyalariga  kuchli  ta’sir  qiladi.  Biz  bu  holni  sirtning  chiqish  ishi 

o’zgarishi bilan tushuntirishga harakat qildik. 

 

  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

---