Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
312 
ЗАВИСИМОСТИ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ В ТВЕРДОМ 
РАСТВОРЕ р(GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
 ОТ УСЛОВИЙ РОСТА 
 
Гаимназаров К.Г. 
Гулистанский Государственный Университет 
В настоящем сообщении приводятся результаты исследований времени жизни неосновных 
носителей в эпитаксиальном слое твердого раствора р(GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
выращенного на подложках 
GaAs (100) электронного типа проводимости (АГЧО n=3 ּ10
17
см
-3
) методом принудительного 
охлаждения из жидкой фазы [1]. 
Жидкой фазой служил раствор-расплав состава Sn-GaAs-ZnSe, ограниченные между двумя 
горизонтально расположенными подложками, толщина которого варьировался в интервале 0,45- 
1,6 мм специальными графитовыми подпорками. Эпитаксиальный слой твердого раствора 
р(GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
, оказались почти однородным составом (х=0,02; y=0,03) дырочного типа 
проводимости (р=5 ּ10
17 
- 5 ּ10
18
см־ 
3 
, μ=15-30 см
2
В
-1
сек
-1
при Т=300 К
). Содержание селенида 
цинка в области гетерограницы структуры nGaAs-p(GaAs)
1-x
(ZnSe)
x
составляет 40-50 моль% и 
незначительно уменьшается вдоль направлении роста. Концентрация дырок в таких 
эпитаксиальных слоях составляла 10
18
см־ 
3
а подвижность 45 см
2
В
-1
сек
-1
при Т=300 К. 
Таблица
№ 
Э
пи
та
кс
иа
ль
ны
й 
сл
ой
тв
ер
до
го
р
ас
тв
ор
а 
Ра
сп
ол
ож
ен
ие
п
од
ло
ж
ки
п
о 
от
но
ш
ен
ию
р
ас
тв
ор
а-
ра
сп
ла
ва
За
зо
р 
м
еж
ду
п
од
ло
ж
ка
м
и 
(м
м
) 
Т
ем
пе
ра
ту
рн
ы
й 
ин
те
рв
ал
ро
ст
а,
0
К
В
ел
ич
ин
а 
на
ча
ла
пе
ре
ох
ла
ж
де
ни
я.

Т
, 
0
К
Особенности 
дифрактограммы 
О
со
бе
нн
ос
ти
р
ел
а 
кс
ац
ио
нн
ы
х 
ха
ра
кт
ер
ис
ти
к 
Э
ф
ф
ек
ти
вн
ое
з
на
че
ни
е 
вр
ем
ен
и 
ж
из
ни
, с
ек
. 
1 
р(
G
aA
s)
1
-
x
(Z
n
S
e)
x
Верх. 
0,5 
720-620 
5 
Соответствует хорошей 
моно кристалличности 
2
*** 
3*10
-3 
2 
---//--- 
Ниж. 
0,5 
720-620 
5 
1
***
2
*** 
7*10
-3
3 
---//--- 
Верх. 
0,7 
700-630 
8 
Соответствует хорошей 
моно кристалличности 
2
*** 
1*10
-3
4 
---//--- 
Ниж. 
0,7 
700-630 
8 
1
***
2
*** 
1*10
-3
5 
---//--- 
Верх. 
0,5 
660-580 
5 
Соответствует хорошей 
моно кристалличности 
2
*** 
5*10
-3
6 
---//--- 
Ниж. 
0,5 
660-580 
5 
1
***
2
*** 
9*10
-3
Исследование спада и нарастания величины фотоЭДС на гетеропереходе nGaAs-p(GaAs)
1-
x
(ZnSe)
x
при подаче световых импульсов со стороны “окна’’ показало что, время жизни 
неосновных носителей в этих структур зависит от кристаллического совершенства полученного 
слоя (Таблица). Обозначения в таблице имеют следующие содержания.
1*** Наличия дополнительных пиков соответствующие напряженным состояниям и второй 
фазы вариюцитной модификации. 
2*** Три характерных участка в релаксационной зависимости и наличие участка с 
отрицательной проводимости. 
Кристаллическое совершенство слоя указанного твердого раствора зависят от реальной 
скорости его образования, которые в свою очередь определяется условиями роста. Полученные 
результаты показывают, что совершенство эпитаксиального слоя, следовательно, на эффективное 
значение времени жизни неосновных носителей в значительной мере влияет как зазор между 

---