Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
301 
- Показано что имплантация ионов Ва
+
, Li
+
и Na
+
с энергией Е
0
=1 кэВ в начале до дозы, соответствующией 
дозе амортизации D
a, 
приводит к уменьшению поверхностной электропроводности Si (111), что 
объясняется малой проводимостью аморфизированного поверхностного слоя. Дальнейшее увеличение 
дозы ионов до 2

10
17
см
-2
приводит к увеличению 

на 2-4 порядка, что связано с частичным образованием 
пленки силицида; 
- Исследованиями температурной зависимости электропроводности 

(Т) ионно-имплантированных 
образцов обнаружен редкий изгиб при температуре кристаллизации Т
кр
, соответствующей образованию 
наноразмерных пленок силицидов ВаSi, LiSi и NaSi. Показано, что указанные силицидные пленки 
обладают почти линейной температурной характеристикой электропроводности подобно 
полупроводникам вплоть до температуры разложения силицидов Т
р
=1050-1250 К.
Литература
1. Rysbaev A.S., Khujaniyazov J.B., Rakhimov A.M., Bekpulatov I.R. Formation of Nanosize Silicides 
Films on the Si (111) and Si (100) Surfaces by Low_Energy Ion Implantation. // Technical Physics, 2014, 
V. 59, № 10, pp. 1526–1530. 
2. Rysbaev A.S., Khujaniyazov J.B., Normuradov M.T., Rakhimov A.M., Bekpulatov I.R. Peculiarities 
of the Electron Structurе of Nanosized Ion_Implanted Layers in Silicon. // Technical Physics, 2014, V. 59, 
№ 11, pp. 1705–1710. 
3. Юлдашев Ю.Ю., Рысбаев А.С., Хужаниязов Ж.Б., Рахимов А.М. Способ изготовления 
полупроводникового термодатчика. Патент РУз. № IAP 04779, 10.10.2013 г. 
4. Рысбаев А.С., Хужаниязов Ж.Б., Рахимов А.М., Бекпулатов И.Р. Способ дополнительной 
очистки поверхности монокристаллов кремния. Патент № IAP 05720. от 30.11.2018 г. 
5. A.S. Rysbaev, J.B. Khujaniyozov, I.R. Bekpulatov, A.M. Rakhimov. Method of Additional Clearing 
of the Surface of Monocrystal Si (111).// Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron 
Techniques. 2017, № 9, Р. 92–98. (№11. Springer, IF: 0.632). 
6. A.S. Rysbaev, J.B. Khujaniyozov, I.R. Bekpulatov, A.M. Rakhimov, O.R. Pardaev. Effect of Thermal 
and Laser Annealing on the Atom Distribution Profiles in Si (111) Implanted with P
+
and B
+
Ions.// Journal 
of surface investigation: x-ray, synchrotron and neutron techniques, 2017, Vol. 11 No. 2, p.474-479. 
(№11. Springer, IF: 0.632). 
УДК 541.123:54621