Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

 
ТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВОЙСТВА ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
В ДИОДНОМ РЕЖИМЕ
Тураев Акмал Атаевич 
доктор философии (PhD) БухГУ, Узбекистан. 
 
Несмотря на то, что полевой транзистор работает в режиме запирания переходов входная 
характеристика отдельно взятого перехода затвор-исток совпадает с характеристикой диодного 
p-n-перехода. При этом в режиме отсечки канала превращается в обратно включенные диоды. 
Поэтому полевой транзистор можно рассматривать как диод с отсекаемой слоем объемного 
заряда базой, что до сих пор остается мало-изученным, в особенности в новых приложениях 
как фотоприемник, датчик температуры. Для этого рассмотрим его входные вольтамперные 
характеристики.
По мере увеличения внешнего напряжения прямой ток p-n-перехода
возрастает. Основные носители после перехода границы раздела становятся неосновными 
в противоположной области полупроводника и, углубившись в нее, рекомбинируют с 
основными носителями этой области, но, пока под-ключен внешний источник, ток через 
переход поддерживается непрерывным поступлением электронов из внешней цепи в n-область 
и уходом их из p-области во внешнюю цепь, благодаря чему восстанавливается концентрация 
дырок в p-области.
Введение носителей заряда через p-n-переход при понижении высоты потенциального 
барьера в область полупроводника, где эти носители яв-ляются неосновными, происходит 
инжекция носителей заряда. При протека-нии прямого тока из дырочной области р в 
электронную область n инжек-тируются дырки, а из электронной области, в дырочную – 
электроны. Ин-жектирующий слой с относительно малым удельным сопротивлением назы-
вают эмиттером, слой в который происходит инжекция неосновных для него носителей заряда 
– базой. 
При подаче прямого напряжения на переход затвор-исток ток экспо-ненциально будет 
увеличиваться
nkT
qV
I
I
пр
exp
0

(1) 
переходя на линейную зависимость, рис.1.
Коээфициент неидеальности равен 1.82, что указывает на механизм то-копереноса 
связанный с генерацией носителей в области объемного заряда. В режиме запирания р-п-
перехода обратный ток до напряжений 1.0 В возрастает и затем выходит на насыщение с током 
2.10
9

А. То есть, протекает очень маленький ток, обусловленный перебросом (экстракцией) 
суммарным электрическим полем на границе раздела неосновных носителей возникающих под 
действием различных ионизирующих факторов, в основном теплового характера. Этот ток 
имеет дрейфовую природу и представляет собой обратный ток р-n-перехода. 

---