Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni

“Fizikaning hozirgi zamon ta’limidagi o’rni”. Samarqand 2019-yil 13-14 dekabr.
 
266 
ҳолатлари, термодинамикаси ва фазавий диаграммалари, суюлмалари, эритмалари, 
релаксацион, реологик, механик, термик, оптик, электромагнитик хоссалари, композит 
материаллар ва наноструктуралари физикаси бўйича асосий билимлар ва кўникмаларни 
ўзлаштиришлари ҳамда амалий, лаборатория ва семинар машғулотлар олиб бориш асосида 
амалий малакаларга эга бўлишдан иборатдир. 
Ҳар бир назарий машғулотни ўтказишда талабаларнинг ярим ўтказгичлар физикаси, 
каттиқ жисмлар физикаси фанларидан олган билимларига таянган ҳолда ўқитилади. Ўзига хос 
хусусият шундаки талабалар кимё ва физика фанларининг бирлашиб уйғунлашиб кетганлигини 
тушуниб етадилар. Ҳар иккала фан соҳасидаги замонавий инновацион янгиликлар билан 
танишадилар. Машғулотларда слайдлар мултимедиялар, ўқув филмлари видеороликлардан 
фойдаланиб, виртуал лаборатория стендлари билан таништириб, семинар амалий 
машғулотларда талабалар ижодий инновацион фиклари билан муҳокамалар қилиб ўтиладилар. 
Мустақил таълимда, машғулотлардан сўнг кутубхона ахборот-ресурс марказларидаги китоблар 
ва интернет манзиллардан фойдаланиб билимларини бойитадилар. Конденсирланган ҳолатлар 
физикаси фанидан олинган билимлар келгусида мактабда физика дарсларини ўқитишда жуда 
ҳам қўл келади. Шу билан бирга ўқишни магистратурада давом эттиришларида ха самарали 
фойдаланишлари мумкин. 
ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА РЕКОМБИНАЦИОННЫЕ ТОКИ P-N В 
ПЕРЕХОДЕ 
G.Gulyamov
1
, A.G.Gulyamov
2
, G.N.Mazhidova
1
,B.B.Shakhobiddinov
1
1. Namangan Engineering Construction Institute, Namangan, Uzbekistan. 
2. Physical and Technical Institute An.RUz. Tashkent, Uzbekistan. 
e-mail: 
[e-mail] 
Abstract: The recombination processes of nonequilibrium electrons and holes in the p – n 
junction are considered. Using the continuity equation for electrons and holes, we obtain a general 
integral expression for the current. It is shown that the total current through the p – n junction is 
determined by the rates of generation and recombination of electrons and holes in the bulk of the 
semiconductor. The results obtained allow us to calculate the current – voltage characteristics of the p 
– n junction under a strong ultra high frequency field (UHF) field and illumination. 
Keywords: generation, recombination, diffusion currents, concentrations, super high frequency 
field, p-n junction 
1 Введение 
С помощю внешних воздействии таких как освещение, электрические и магнитные поля, 
деформация, температура, СВЧ поле можно повлиять на характеристики p-n перехода. 
Нарушение термодинамического равновесия электронно дырочкого газа приводит к 
возникновению электродвижущих сил в p-n переходе. При этом сильно меняются 
концентрации неосновных носителей. Токи возникающие в p-n переходах определяются 
генерационно рекомбинационними процессами в этих приборах [1-3] .
Целью настоящей работы является вычисление токов p-n перехода когда на диод падает 
сильное греющее СВЧ поле и свет и приложено давление. 
2. Общее выражения для тока 
Когда неравновесные электроны и дырки образуются за счет генерационных и 
рекомбинационных процессов концентрации электронов n и дырок p определяются уравнениям 
непрерывности
𝜕𝑛
𝜕𝑡
= 𝐺
𝑛
− 𝑅
𝑛
+ 𝑔
𝐸
𝑛
− 𝑒
−1
𝑑𝑖𝑣𝑗 
𝑛
(1) 
𝜕𝑝
𝜕𝑡
= 𝐺
𝑝
− 𝑅
𝑝
+ 𝑔
𝐸
𝑝
+ 𝑒
−1
𝑑𝑖𝑣𝑗 
𝑝
(2) 

---