F I z I k a o’quv qo’llanma

 

 28.4     Nanoelektron asboblar 

Yuqorida  aytib  o‘tilganidek  nanoasboblar  -  bu  kvant  mexanikasi  prinsiplarga 

asoslangan  qurilmalardir.  Biroq  nanoasbob  faqat  kvantlangan  axborot  bilan 

ishlashga  majbur  degan  fikrni  ham  o‘rinli  deb  bo‘lmaydi.  20-30  nm  o‘lchamdagi 

nanotranzistorlarning  klassik  mantiq  bilan  ishlay  olishi  tajribalarda  o‘z  isbotini 

topmoqda.  

---

 

463 

Berkley  laboratoriyasida  uglerod  nanonaychalar  asosida  nanotranzistor  1998 

yilda  yasalgan  bo‘lsa,  2000  yilga  kelib  S

60

  fulleren  klasterlari  asosida  ham 

nanotranzistorlar  ishlab  chiqildi.  Nanotranzistor  yasash  uchun  oldin  kremniy 

plastina  ustiga  elektron  litografiya  usulida  200  nm  kenglikda  va  10  nm  qalinlikda 

oltindan  yo‘lchalar  hosil  qilganlar.  Ana  shu  oltin  yo‘lchalardan  katta  tok  oqizish 

natijasida  ma’lum  joylaridan  1  nm  tirqish  hosil  qilib  uziladi.  Shundan  so‘ng 

plastina  fulleren  klasterlarining  suvli  eritmasi  bilan  yupqa  qatlam  qilib  qoplanadi. 

Eritma  uchib  ketgach  fullerenlar  boyagi  tirqishlarga  joylashib  qoladi.  Bunday 

nanotranzistorlar  bir necha GGts chastotada ishlay oladi.  

Kembridj  Universiteti  va  Japan  Science  and  Technology  Corparation  bilan 

birgalikda  xona  haroratida  ishlaydigan  bir  elektronli  tranzistor  ishlab  chiqdi. 

Nanotranzistorning  o‘tkazuvchi  kanali  (orolcha  shaklida)  kirish  va  chiqish 

kanallardan  tunnel  to‘siq  bilan  ajratilgan.  Orolcha  amorf  kremniy  klasteridan 

o‘stirilgan  bo‘lib  sirti  tunnel  to‘siq  vazifasini  bajaruvchi  yupqa  dielektrik  oksid 

qatlam bilan  qoplangan, o‘lchami esa 10 nm dan oshmaydi.  

2005  yilda  A+Shning  Kaliforniya  va  Klemson  Universitetlari  hamkorlikda  Y-

shaklidagi  nanonaychani  o‘stirishga  muvaffaq  bo‘ldilar.  Uni  hosil  qilish  uchun 

avval  kimyoviy  bug’‘latish  usuli  bilan  to‘g’ri  nanonaycha  o‘stirilgan,  keyin  uning 

sirti  o‘stirish  katalizatori  sifatida  titan  nanozarralari  bilan  qoplangan.  Natijada 

nanonaychaning  yon  tomonidan  yana  bir  shoxcha  o‘stirilgan.  Ana  shu  shoxchaga 

elektr  kuchlanish  berib  nanonaychadan  o‘tayotgan  elektronlarni  boshqarish 

mumkin. 

Y-nanotranzistorining 

elektr 

xususiyatlari 

o‘rganilganda  uning 

zamonaviy  metall-oksid-yarimo‘tkazgich  tranzistorlarining  o‘rnini  bosa  olishi 

aniqlandi.