Elektrotexnika materiallari

(r
D-R
)
uchraydi va uni yengish uchun 

---

53 
energiya sarf etadi. Dipol qutblanish ancha sekin (

=10
-6

10
-8
s) kechishi sababli 
radio to’lqinida (10
6

10
8
Gs) maydon o’zgarishi qutblanish vaqtiga yaqinlashib 
qoladi; oqibatda yuqori chastotada dipol molekulalar maydon yo’nalishining 
o’zgarishiga ulgurolmay qoladi va qutblanish susayib, 

r
qiymati pasayadi. Dipol 
qutblanish qutbli gazlar, suyuqliklar va ba’zi organik qattiq moddalarga xosdir. 
Kuchlanganlik uzilgandan so’ng dipolning issiqlik harakati ta’sirida tartibli 
susayishi vaqti (eksponensial o’zgaradigan e=2,71) 
relaksatsiya vaqti
deb ataladi.
43
Qutbli dielektrikda 

r
qiymatining haroratga qarab o’zgarishi, past haroratda jism 
qovushqoqligi yuqoriligi tufayli dipollar harakatsiz va 

r
=

L
ga teng bo’ladi; 
material qizdirilsa, u yumshab ichki ishqalanish susayishi natijasida dipol burilishi 
yengillashadi va 

r
qiymati ortadi; yuqori haroratda esa dipolning aniq yo’nalish 
olishiga zarralarning betartib issiqlik harakatining ortishi xalal beradi va o’z 
navbatida 

r
qiymati kamayadi (2.11-rasm). 

 
a) b) 
2.11
-
rasm. Relaksatsion qutblanish 
Ion-relaksatsiya qutblanishi
 
(C
i-r 
, q
i-r 
, r
i-r
)
ba’zi anorganik moddalarda 
kuzatiladi. Bunda moddaning o’zaro bo’sh bog’langan ionlari tashqi elektr maydon 
ta’sirida aniq yo’nalish oladi. Agar elektr maydon olinsa, qutblanish eksponensial 
qonun bo’yicha pasayadi.
44
Elektron-relaksatsiya qutblanish
(C
e-r 
, q
e-r
, r
e-r
 )
sindirish ko’rsatkichi yuqori 
va katta ichki maydonga ega bo’lgan dielektriklar uchun xos bo’lib, qo’shimcha 
elektron yoki teshiklarni issiqlik energiyasi bilan ta’sirlantirish orqali yuzaga 
keladi. Bu turdagi qutblanish asosi metall oksidi bo’lgan ba’zi kimyoviy birikmalar 
43
Bijay_Kumar Sharma., Electrical and Electronic Materials Science./ - OpenStaxCNX,/ Indiya – 2014, 31-bet. 
44
T.K. Basak. Electrical engineering materials. New Age Intenational, Nil edition. USA, 2009. 49-bet 

---

54 
(titan, niobiy, vismut) ga xosdir. Tarkibida titan bo’lgan elektron-relaksatsiya 
qutblanishli sopolda elektr maydon chastotasi ortishi bilan dielektrik 
singdiruvchanlik kamayadi (2.12-rasm). 
a) b) 
2.12
-
rasm. Ion-relaksatsion qutblanish 
Migratsion qutblanish
(C
M 
, q
M 
, r
M
)
tarkibi bir jinsli bo’lmagan qattiq 
jismlarda qutblanishning
qo’shimcha mexanizmi
sifatida ro’y
beradi. U past 
chastotada yuzaga keladi va elektr energiyasi ko’p miqdorda sarflanishi bilan 
harakterlanadi (2.13-rasm). Bunday qutblanishni keltirib chiqaradigan omillar 
texnik dielektriklardagi o’tkazuvchi va yarim o’tkazuvchi qismlar hamda 
o’tkazuvchanligi turlicha bo’lgan qatlamlardir.
45
a) b) 
2.13-rasm. Migratsion qutblanish 
O’z-o’zidan (spontan) qutblanish
 
(C
o’ 
, q
0’ 
, r