130
динамических неоднородностей с веществом или полями. Это
могут быть различные электрические явления наведения тока
или
образования заряда, появление потенциала или наведение
электрического или магнитного импульсного поля, возбужде-
ние атомов или молекул. Электрически нейтральные динамиче-
ские неоднородности могут быть зарегистрированы по вторич-
ным заряженным частицам или продуктам взаимодействия,
возникающим в результате взаимодействия с веществом.
Все детекторы
динамических неоднородностей, как пра-
вило, являются элементами двоичной логики и выделяют логи-
ческие нуль и единицу. Детекторы многозначной логики ис-
пользуются в более сложных комбинациях физических процес-
сов и явлений. Рассмотрим некоторые примеры детекторов ди-
намических неоднородностей полупроводниковой природы.
Простейшим является
плавающий обратносмещенный р-п-
переход
(рис. 4.10).
С этой целью на выходе
ПЗС-структуры создается
пла-
вающая диффузионная область
(ПДО). Зарядку диффузион-
ной области до плавающего потенциала производят путем по-
дачи обратного смещения
Е
на
последнюю диффузионную об-
ласть.
Соединение осуществляется за счет создания индуциро-
ванного канала в транзисторе сброса
Т
. С этой целью на его за-
твор
З
т
,
подается импульс смещения, в течение которого пла-
вающая диффузионная область заряжается от источника
Е
(рис.
4.10,
б
).
Транзистор сброса запирается и ПДО остается заряженной
и изолированной (рис. 4.10,
в
).
Приход зарядового пакета из-под затвора
З
вызовет изме-
нение
потенциала ПДО на величину
U,
способную открыть
выходной транзистор
Т
вых
(рис. 4.10,
г
). Это приведет к возник-
новению в выходной цепи токового импульса. После процесса
считывания ПДО очищается от уже продетектированного заря-
131
дового пакета путем подачи импульса на затвор и стока всего
заряда.
Существуют и более сложные детекторы зарядовых паке-
тов, определяющих в системах многозначного информационно-
го сигнала величину и знак заряда.
Детектирование динамических неоднородностей в виде
волн пространственного заряда осуществляется с помощью ме-
таллического
электрода, нанесенного на поверхность пленоч-
ных структур. Электрод располагается вблизи стока, на кото-
рый подается напряжение смещения, вызывающее дрейф элек-
тронов от истока к стоку (от катода к аноду). Детектирующий
электрод образует с полупроводниковой пленкой контакт типа-
барьера Шоттки. Такой емкостной
зонд изолирован от пленки
по постоянному току обедненной областью и способен детекти-
ровать, в том числе, высокочастотные сигналы.
Рис. 4.10. Конструкция детектора зарядовых пакетов
на основе ПДО (
а
), процесс перезарядки ПДО до плавающего
потенциала (
б
), ждущий режим ПДО (
в
), детектирование
зарядового пакета и возникновение импульса тока (
г
)