Электростатика

дипольных сегнетоэлектриков
содержатся атомы с двумя положениями равновесия, ее элек-
трическая поляризация определяется взаимным положением 
атомов. На рис. 3.4,
 в
представлено взаимное расположение ио-
нов при положительном и отрицательном направлениях ди-
польного момента (рис. 3.4, 
г
). Фазовый переход в дипольных 
сегнетоэлектриках, происходящий в точке Кюри, называется 
переходом типа «порядок - беспорядок». 

---

87 
Рис. 3.4. Элементарные ячейки сегнетоэлектриков: ионный тип 
в неполяризованном (
а
)и поляризованном (
б
) состояниях;
дипольный тип при положительном (
в
)
и отрицательном (
г
) дипольных моментах 
К дипольным сегнетоэлектрикам относятся сегнетова соль 
(NaKC
4
H
4
0
6
∙ 4H
2
О) 
триглицинсульфат 
ТГС 
(NH
2
CH
2
CООH)
3
∙ H
2
SО
4
, нитрид натрия (NaNО
2
) и т. п. 
К особой группе относятся 
несобственные сегнетоэлек-
трики
, в которых спонтанная поляризация обусловлена, на-
пример, деформацией кристаллической решетки при фазовом 
переходе. К этому типу относятся молибдат гадолиния 
[Gd
2
(MoO
4
)
3
], лангбейниты, [Tl
2
Cd
2
(SO
4
)]
3
– талий кадмиевый 
лангбейнит, фторбериллат аммония [(NH
4
)
2
BeF] и т. п. 
Кристаллы, в соседних ячейках которых одноименные ио-
ны смещены в противоположных направлениях, называются-
антисегнетоэлектриками.
Спонтанная поляризованность ан-
тисегнетоэлектриков равна нулю. При наложении сильного 
электрического поля антисегнетоэлектрик может переходить в 
сегнетоэлектрик с параллельной ориентацией диполей. Отличи-

---

88 
тельной особенностью антисегнетоэлектриков является наличие 
двойных петель диэлектрического гистерезиса. 
К антисегнетоэлектрикам относятся кристаллы цирконата 
свинца (PbZrO
3
), ниобата натрия (NaNbO
3
), гафната свинца 
(PbHfO
3
), дигидрофосфата аммония ADP (NH
4
H
2
PO
4
). 
Сегнетоэлектрики обладают довольно большим удельным 
сопротивлением ( > 10
9
Ом м). Однако существуют такие сег-
нетоэлектрики, у которых значение соответствует полупро-
водникам. Можно искусственно снизить значение , например, 
ионным легированием и получить новый тип сегнетоэлектрика -