242
cверхпроводниковые цифровые и импульсные устройства, в
том
числе ячейки логики и памяти ЭВМ, аналого-цифровые преоб-
разователи, стробоскопические преобразователи сигналов.
Принципы криоэлектроники используют для построения
ряда приборов (криотроны, квантовые и параметрические уси-
лители, резонаторы, фильтры, линии задержки и др.). Наиболее
распространенным из этих приборов является криотрон. Разви-
тие криоэлектроники началось с создания криотрона (1955 г.) -
миниатюрного переключательного элемента, действие которого
основано на явлении сверхпроводимости.
Криотрон
(от крио... и (элек)трон) -этопереключательный
криогенный элемент,основан на свойстве сверхпроводников
скачком менять свою проводимость под воздействием критиче-
ского магнитного поля. Действие криотрона аналогично работе
ключа или реле; криотрон может находиться только в одном из
двух состояний - либо в сверхпроводящем, либо с малой прово-
димостью. Криотроны обладают
высоким быстродействием
(время перехода из одного состояния в другое несколько долей
мксек, порядка 10
-11
сек)
,
малыми размерами до 10
-6
мм
2
(не-
сколько тысяч криотронов на площади в 1 см
2
)
,
дѐшевы в изго-
товлении и достаточно надѐжны, отличаются низким потребле-
нием энергии (10
-18
Дж).
Криотроны - элементы логических, запоминающих и пе-
реключательных устройств. Криотроны могут быть как прово-
лочными, так и плоскими (плѐночными). На рис. 6.8 показана
конструкция плѐночного криотрона.
Первые проволочные
криотроны были вскоре заменены плѐночными (1958 – 1960
г.г.). В 1955 – 56 г.г. появились другие плѐночные запоминаю-
щие элементы: персистор, персистотрон, ячейка Кроу, однако
они не получили распространения. Основным криоэлектронным
элементом в вычислительной технике остался плѐночный крио-
трон. В 1967 г. был разработан плѐночный туннельный крио-
трон (криосар), основан на эффекте Джозефсона.
243
На основе криотронов
можно создать криотронные БИС,
выполняющие логические функции, функции запоминания с
неразрушающим считыванием, управления и межэлементных
соединений. Однако необходимость
работы в условиях глубо-
кого охлаждения и связанные с этим технологические трудно-
сти резко ограничивают применение криотронов.
Рис. 6.8. Крестообразный плѐночный криотрон:
1 - управляющая плѐнка (Pb); 2 - изолирующий слой (SiO
2
);
3 - управляемая плѐнка (Sn); 4 - изоляция (SiO
2
);
5 - экранирующий подслой (Pb); 6 - подложка;
I
y
- управляющий электрический ток;
I
b
- управляемый электрический ток
Do'stlaringiz bilan baham: