Elektronika va Sxematexnika fanning maqsad va vazifalari

kuchaytirgichni sinash
Topshiriq- Multisim laboratoriya majmuasini ishga tushiring va MS12 muhitning ish maydonida umumiy emitterli (UE) bipolyar tranzistorning kuchaytirgichni sinash uchun sxemani yig‘ing (4.8-rasm), sxema elementlarining parametrlarini hisoblash usullari bilan tanishing va ularni tuzuvchi (komponentlar)ning dialog derazalariga (okna) o‘rnating.

4.8-rasm Bipolyar tranzistorli kuchaytirgich
Umumiy emitterli VT1 tranzistorli kuchaytirgich sxemasiga, (2N3906 turdagi va parametrlari: U_K.max=40 V; I_K.max =0,2 A; h_21E=30…300; f_max

=300 MGz; P_K=0,625 Vt bo‘lgan) R1 i Rk potentsiomerlar, Rs, Re va Rn

doimiy rezistorlar, S1…S3 sig‘imlar, A qayta ulagich va V kalit ulangan.

Energiya manbai sifatida EYuK E₂=12 V bo‘lgan doimiy kuchlanish generatoridan foydalanilgan, kirish signalining manbai sifatida esa- E1 sinusoidal kuchlanish generatori ishlatilgan. Sinov natijalarini vizuallashtirish uchun sxemaga A1 va A2 ampermetrlar, V1 i V2 voltmetrlar, ikki kanallik XSC2 ossillograf va XVR1 plotter (kuchlanish kuchaytirgining AChX va FChX xarakteristikalarini tuzuvchi) lar kiritilgan.

1. 
   Sxema elementlari parametrlarini hisoblashni quyidagi munosabatlar orqali amalga oshiramiz:
   

R_K  E₂/I_K.max=12/(0,2)=60 Om  kollektorning qarshiligi (emitterning teskari aloqasisiz (A qayta ulagich o‘ng holatda turganda, V kalit ochiq holatda, 4.8-rasmga qarang));

U_Kp  E₂/2=6 B; I_Kp  (E₂  U_Kp)/R_K= 6/60=100 mA  sokin (tinch) holatdagi kollektordagi doimiy kuchlanish va tok;

I_Bp _.I_Kp/h₂₁=100/135  0,75 mA  sokin holatda baza toki, bunda h₂₁=135  2N3906 turdagi tranzistorning tok uzatish koeffitsientining o‘rtacha qiymati;

R₁  (E₁  U_Бп ) / I_Бп  (12  0,65) / 0,75 10^3  15 кОмbaza zanjiridagi R1 rezistorning qarshiligi, bunda U_Bp  0,65 V kremniyli va U_Bp _. 0,3 V germaniyli tranzistorlar uchun;

R_e  (0,1…0,2)E₁/I_Ep=0,212/0,075=32 Om  emitter zanjiridagi R_e

qarshilik, I_Ep  I_Kp  0,75 mA – R_e rezistor ulangandagi kollektor toki.

R₂=(0,3…0,5)R₁  talab etilayotgan sokin kuchlanishni olish uchun, baza va kuchaytirgichning umumiy nol nuqtasi orasiga ulangan rezistorning qarshiligi:

^UБЭп

 E₁R₂ /(R₁ 

^R2 ^{)  R}e ^IЭп ^{. (4.23)}

Aytaylik: R₂=6 kOm.

Umumiy emitterli va emitterli turg‘unlovchi (stabilizatsiey) uchun taklif etilayotgan rejim: U_Kp  (2/3)E₁=8 V va U_Ep  (1/3)E₁=4 V va buni R1, Rk potentsiometrlarning va Re rezistorning qarshiligini o‘zgartirish bilan o‘rnatish mumkin (4.8-rasmga qarang).

Salbiy teskari aloqa (OOS)ning o‘zgaruvchan tok tuzuvchiga ta’sirini yo‘qotish uchun Re rezistor C2 sig‘im bilan shuntlanadi (qisqa tutashtiriladi), kuchaytirilayotgan signalning past chastotali tuzuvchisi uchun sig‘im qarshiligi Re rezistor qarshiligidan bir tartibga kam bo‘lishi

lozim. C2=8 mF deb qabul qilsak, unda kondensatorning qarshiligi C2 X_S2

 20/f ga teng bo‘ladi .

Ish hisoboti varag‘iga 4.8-rasmdagi sxemaning nusxasini ko‘chiring.

2. 
   U_vx kirish kuchlanishining chastotasi f=1 kGz, E1 manbaning kirish qarshiliklari R_s= 0 va R_s=100 Om, va yuklamaning qarshiliklari R_n
   

=1 MOm va R_n=1 kOm bo‘lganda U_chiq(U_kir) kuchlanish bo‘yicha amplituda xarakteristikalari oilasini (nuqtalar bo‘yicha) o‘lchang va tuzing. 4.1-jadvalga U_kir.kuchlanishning katta qiymatlarida chiqish kuchlanishining buzilish xarakterini ossillograf ekranida kuzatib, E1 manba EYuK ining bosqichma-bosqich o‘zgarishida, AC rejimda ishlayotgan V2 voltmetrning ko‘rsatkichlarini yozib oling.

E’tibor bering, VT1 tranzistorning kolektoridan olinayotgan U_chiq chiqish kuchlanishi, U_kir kirish kuchlanishiga qarama -qarshi fazada bo‘ladi (4.9-rasm).

4.1-jadval

Rs, Om	Rn	Pri E1, mV: