Elektronika va sxemalar mustaqil ish

Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar.
Maydoniy tranzistorlardan kuchaytirgich yasashda umumiy istok (UI) sxemada ulangan maydoniy tranzistorlar keng qo‘llaniladi. c –rasmda n – kanalli p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi keltirilgan. p–n o‘tish bilan boshqariladigan maydoniy tranzistorda stok va zatvorga berilayotgan kuchlanish ishoralari (qutblari) bir - biriga teskari bo‘lishi kerak. Shu sababli o‘zgarmas tok bo‘yicha rejim hosil qilish uchun RI rezistor kiritiladi va u ketma-ket MTAni hosil qiladi. Bundan tashqari, kuchaytirgich parallel kirishlariga RSIL rezistor ulanadi va u zatvorni umumiy shina bilan galvanik aloqasini ta’minlaydi va kuchaytirgich kirish qarshiligini barqarorlaydi.
c - rasm
Berilgan IS0 sokinlik toki uchun RI kattaligi maydoniy tranzistor stok – zatvor VAXsidan aniqlanadi. VAXdan UZI0 ni aniqlab RI ni quyidagi ifodadan qiynalmas aniqlash mumkin:
Kirishga o‘zgaruvchan signalning musbat yarim davri UKIR berilganda chiqishda teskari fazadagi signal UChIQ hosil bo‘ladi, ya’ni UI sxemadagi kuchaytirgich bosqichi kirish signalini inverslaydi. Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffisienti quyidagiga teng
“Manfiy” ishora UIli sxema signalni inverslashini bildiradi. Amaliyotda
, shu sababli kuchaytirish koeffisientini quyidagi ko‘rinishda ifodalash mumkin
UI sxemadagi real kuchaytirgich bosqichlarida
Ku=3÷50, RKIR  RSIL, RChIQ  RS.
Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar.
Kuchaytirgich parametrlarining yaxshi barqarorligini ta’minlab beruvchi manfiy teskari aloqa kuchaytirish koeffisientini keskin kamaytiradi. Katta KU qiymatini olish uchun keng polosali ko‘p bosqichli kuchaytirgichlar qo‘llaniladi. d – rasmda ketma - ket – parallel teskari aloqali uch bosqichli kuchaytirgich prinsipial sxemasi keltirilgan. Birinchi UE bosqich VT1 tranzistorda bajarilgan, unda tok bo‘yicha mahalliy ketma –ket MTA mavjud bo‘lib, u RE1 da bajarilgan. Ikkinchi bosqich VT2 tranzistorda bajarilgan. Uchinchi bosqich VT3 tranzistorda bajarilgan bo‘lib, RE3 rezistor mahalliy MTAni amalga oshiradi.
d – rasm
Mahalliy MTAdan tashqari kuchaytirgichda umumiy teskari aloqa qo‘llanilgan. U kuchaytirgich bosqich chiqishini VT1 tranzistor emitteri bilan bog‘lovchi RTA rezistor zanjirida bajarilgan. Mahalliy (bosqichlar ichidagi) teskari aloqalarga nisbatan butun kuchaytirigichni qamrab oladigan teskari aloqa, yanada yuqori barqarorlikni hamda alohida bosqichlarni kuchaytirish koeffisienti og‘ishiga sezgirlikni kamayishini ta’minlaydi. 40 – sxema integral kuchaytirgich yasashda asos hisoblanadi
Lekin teskari aloqali asosiy uch bosqichli kuchaytirgichdan tashqari, integral kuchaytirgich sxemasi kichik chiqish qarshiligini ta’minlash uchun va kuchaytirigichda qo‘shimcha keng polosalik, chidamlilik, temperaturaviy barqarorlik va o‘zidan oldingi chiqish bosqichi kuchlanishi o‘zgarmas tashkil etuvchisini keyingi bosqich kirish kuchlanishi o‘zgarmas tashkil etuvchisi bilan muvofiqlashni ta’minlash uchun chiqish bosqichi sifatida emitter qaytargichga ega bo‘ladi. Gap shundaki, turli katta sig‘imlarga ega bo‘lgan kondensatorlarning mavjud emasligi tufayli barcha bosqichlar o‘zgarmas tok bo‘yicha o‘zaro bog‘langan.