Elektronika va sxemalar mustaqil ish

O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA
KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
ELEKTRONIKA VA SXEMALAR
MUSTAQIL ISH
Bajardi:Yoqubov D
Tekshirdi:Egamberdiyev M
Maydon tranzistorlar asosida kuchaytirgichlar
Reja:

• Maydonli tranzistorlar
• Keng polosali kuchaytirgichlar
• Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi
• Maydoniy tranzistorlarda yasalgan kuchaytirgichlar
• Ko‘p bosqichli kuchaytirigichlar
• Analog integral sxemalarning chiqish bosqichlari(quvvat kuchaytirgichlari).

Sanoatda va elektr transportlarida xuddi yarim o’tkazgichli diod va tranzistorlar singari maydonli tranzistorlar ham elektr sxemalarda ko’p qo’llaniladi. Bipolyar tranzistorlardan farqli, maydonli tranzistorlar unipolyar shaklda ishlaydi, ya’ni kanal deb ataluvchi asosiy tok o’tkazadigan bir turdagi asosiy zaryad tashuvchi elektronlar oqimidan hosil bo’ladi.
a)
b)
v)
g)
p turidagi kanalli
n turidagi kanalli
Ichki n kanalli
Induksiyalangan n kanalli
Maydonli tranzistorlar:
d)
e)
j)
z)
Ikki zatvorli ichki n kanalli
Induksiyalangan p kanalli
umumiy istokli ulanish sxemasi
Statik rejim
Keng polosali kuchaytirgichlar
Analog integral mikrosxemalar elementar negiz bosqichlar asosida yasaladilar. Negiz bosqichlarga UE sxemada ulangan bipolyar tranzistorlar hamda UI sxemada ulangan maydoniy tranzistorlardan yasalgan bir bosqichli kuchaytirgichlar kiradi. Negiz bosqichlar bir vaqtning o‘zida tok yoki kuchlanish, hamda tok va kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish bilan quvvatni kuchaytiradilar.
Bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi.
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich tahlil qilinganda signal manbai yoki qarshilik RG bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanish manbai YeG ko‘rinishida ( a-rasm), yoki qarshilik RG bilan parallel ulangan ideal tok manbai IG ko‘rinishida ( b-rasm) ifodalanishi mumkin
a)
b)
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi c – rasmda keltirilgan.
Sxemani tahlil qilganda, tranzistor holati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (d-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi hamda kirish xarakteristikalar oilasidan foydalanish qulay.
Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki IK ning baza – emitter kuchlanishi UBE ga bog‘liqligi eksponensial funksiya bilan approksimatsiyalanadi
bu yerda
termik potensial, IKS – proporsionallik koeffisienti bo‘lib uning
tahminiy qiymati mikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K bo‘lganda 10-9 mA tartibga ega bo‘ladi.