Электроника ва радиотехника кафедраси 21- маъруза

Электроника ва радиотехника кафедраси

21- маъруза

Биполяр транзисторлар (БТ)

Режа

1. БТ ВАХ.

2. БТ асосий (h)параметрлари.

3. БТ да токлар.

БТ ВАХ

Иккита ВАХ га эга : кириш ва чиқиш.

Кириш – база токининг (IБ) база-эмиттер (UБЭ) кучланишига боғлиқлиги.

Чиқиш – коллектор токининг (IК) коллектор-эмиттер (UКЭ) кучланишига боғлиқлиги.

УБ ва УЭ уланган БТнинг кириш характеристикалари
УБ ва УЭ уланган БТнинг чиқиш характеристикалари

БТнинг УК уланишдаги кириш характеристикалари

БТнинг УК уланишдаги чиқиш характеристикалари

УБ ва УЭ уланган БТнинг кириш характеристикаларига температураларнинг таъсири

УБ ва УЭ уланган БТнинг чиқиш характеристикаларига температураларнинг таъсири

БТ асосий параметрлари

• Кириш қаршилиги: [Ом] ;
• Чиқиш қаршилиги: [Ом] ;
• Ток бўйича кучайтириш коэффициенти: ;
• Кучланиш бўйича кучайтириш коэффициенти: ;
• Қувват бўйича кучайтириш коэффициенти: .

БТ нинг h- параметрлари

h11 – UКЭ доимий кучланишда, кириш қаршилиги ;

h12 – кучланиш бўйича тескари алоқа коэффициенти;

h21 – УЭ схемасида токни узатиш коэффиценти, UКЭ кучланиши доимий қийматга эга бўлганда транзисторнинг кучайтириш хусусиятларини кўрсатади (β орқали ҳам белгиланади).

h22- база токи доимий бўлгандаги чиқиш ўтказувчанлиги.

ЭЎ тўғри силжитилганда (UЭБ таъминот манбаси ҳисобига амалга оширилади) унинг потенциал барьери пасаяди ва электронлар эмиттердан базага инжекцияланади. Электронларнинг эмиттердан базага ҳамда ковакларнинг базадан эмиттерга инжекцияланиши ҳисобига эмиттер токи IЭ ҳосил бўлади:

• ЭЎ тўғри силжитилганда (UЭБ таъминот манбаси ҳисобига амалга оширилади) унинг потенциал барьери пасаяди ва электронлар эмиттердан базага инжекцияланади. Электронларнинг эмиттердан базага ҳамда ковакларнинг базадан эмиттерга инжекцияланиши ҳисобига эмиттер токи IЭ ҳосил бўлади: