Elektronika va avtomatika

Zanglamas po„lat asosida amorf kremniyli quyosh elementlarini tayyorlash. 

Egiluvchan taglikda quyosh elementlarini tayyorlash. 

 Metall  folgali    amorf  kremniy    a-Si:Nda    p-i-n  struktura  olishda  zanglamas 

po‗lat ham ishlatiladi  (21- rasm,a, b) 

20- rasm. Oynada shakllantirilgan      p-i-n struktura. 

---

43 

 

. 

  

 21a- rasm. Zanglamas  po‗lat asosida amorf kremniyli  quyosh elementi. 

 

 

21b- rasm. Amorf kremniyli  quyosh elementi. 

Yorug‗lik    p-  qatlam  bilan  chegaradosh  shaffof  elektrod  tomondan  tushadi. 

Natijada  metall  taglikning  qaytarish  xususiyati  va  bor  bilan  legirlangan                     

p-  qatlamlarga  nisbatan  fosfor  bilan  legirlangan  a-Si:N  plenkalarining  yorug‗likni 

optik  yutishsh  kamligi      natijasida  qisqa  tutashuv  toki  zichligi  oshadi.    p -i-n 

strukturali  elementlarni  qo‗llashning  bitta  muammosi  –  bu  ularni    faqat  bir 

yo‗nalishda  optimallash  mumkin.    Ushbu  kamchilikni  ko‗ndalang  kesimli  QE  larda 

yo‗qotish mumkin  (22- rasm). 

---

44 

 

 

22- rasm. Ko‗ndalang kesimli   QE. 

 Tok    o‗tkazmas  taglikda  sirtga    perpendikulyar    tekislikda  a-Si:N  ning p-i-n 

strukturasi  amorf  kremniy   



-Si:Hning  p-i-n-strukturasi  shakllantiri-ladi.    Bunday  

QE shaffof o‗tkazuvchan oksid qatlam va keng zonali  p- qatlam talab qilmaydi, uni 

mikroelektronikaning  standart texnologiyalari  asosida yaratish mumkin.