Elektronika va asbobsozlik

2.1-rasm.Kam quvvatli n-p-n tranzistorining topologik sxemasi
Kollektor o'lchamlari quyidagicha belgilanadi.
b_k≥b_b+2a+2Δ_f+Δ_c (2.11)
l_k≥l_b+l_kk+a+f+c+2Δ_f+Δ_c (2.12)
Xuddi shu usul bilan tranzistorning har qanday o'tishiga asoslangan p-n-p kanalli tranzistor va diodlar kabi elementlarning geometrik o'lchamlari hisoblanadi. Xuddi shu usuldan foydalanib va diod kabi p-n-p kanalli tranzistor elementlarning geometrik o'lchamlari tranzistorning har qanday o'tishi asosida hisoblanadi.
Muayyan konfiguratsiyaga ega bo'lgan tranzistorning chiziqli o'lchamlari ushbu turdagi texnologiya uchun minimal darajada bo'lishi mumkin va tranzistorning o'ziga xos parametrlari va o'ziga xos fizik-ximyoviy tuzulishini ham hisobga olinishi kerak.
2.2.Rezistorlarning geometrik o'lchamlarini hisoblash
Mikrosxemalar strukturasidagi bipolyar tranzistorlarning qarshiligining diffuzsion qatlamlari ko’p kremniyli elementlardan tayyorlanadi.
Rezistorlarni loyihalashda dastlabki ma'lumotlar quyidagilardir:
Nominal qarshilik-R, u ishlab chiqarilgan qatlamning sirt qarshiligi-R_S, sarflanuvchi quvvat-P; nominal xatolik – N_R; ishchi harorati oralig'i- ΔT, bmin, tayyorlanishdagi xatoliklar-Δl,Δb; o’ziga xos quvvat sarfi-P₀ va boshqalar [3].
Mikrosxemaning qarshiliklari 100om dan 50kom gacha diapazonda asosiy qatlam asosida ishlab chiqariladi. Mikrosxema qarshiliklarining umumiy kattaliklari:
Hisoblash shakl koeffisentini hisoblashdan boshlanad:
(2.13)
Agar К_Sh > 1, bo’lsa hisoblashni b-hisobidan boshlaymiz
Agar К_Sh< 1, bo’lsa hisoblashni l-hisobidan boshlaymiz
Agar R = 50-1000 Om bo'lsa, u holda rezistorlar to'rtburchaklar shaklda tayyorlanadi, agar R> 1-2 kOm bo'lsa, u holda har qanday harqanday ko’pburchakli va har qanday uzunlikdagi to'rtburchaklar bilan murakkab shaklli rezistor yasash tavsiya etiladi.
(2.14)
bunda
- zarur quvvat sarfini ta'minlash uchun minimal qarshilik kengligi;
-aniqlikni taminlaydigan minimal qarshilik kengligi
(2.15)
(2.16)
(2.17)
Bu yerda
N_KF-rezistor tayyorlashdagi nisbiy xatolik;
N_R-rezistor tayyorlashdagi nomimal xatolik;
N_RS-sirt qarshiligini nisbiy xatoligi:
N_RT=α_T ⋅ ΔT - qarshilikning harorat bilan bog’liq xatoligi.

• 
  Haroratning barqarorligini tavsiflash uchun αR materialning harorat qarshilik koeffitsienti tushunchasi kiritilgan.
  
• 
  
  
• 
  Qarshilikning harorat bilan bog’liq xatoligi quyidagicha topiladi
  
• 
  N_RT=α_T∙ΔT= α_T(T_max-T_{xona.harorati})= α_T(T_max-20⁰C)
  

Keyin b_hisobiy va К_Sh ni bilib, l_hisobiy ni aniqlaymiz
l_hisobiy = К_Sh∙b_hisobiy (2.18)
Rezistorning dastlabki uzunligi va kengligini hisoblab, nisbatlarini tekshirish kerak:
-to’rtburchakli rezistor uchun shakl
(2.19)
Bu yerda
k-birikuvchi qatlam koeffitsienti. (Jadvallar, grafikalar yordamida aniqlanadi.)
-murakkab qarshilik uchun
(2.20)
bunda n-to’g’rito’rtburchaklar soni; (n-1)-burulishlar soni;
0,55-bitta burulishni hisobga oladigan koeffisent.
Shuni esda tutish kerakki, b_hisobiy - rezistorning topologik kengligi emas, balki uning samaradorligidir. b_hisobiy=b_topologik+2Δb_yon.tomon (2.21)
Bu yerda
b_hisobiy- qarshilikning topologik kengligi (fotoskopdagi kenglik);
Δb_yon.tomon- diffuziya paytida qatlamning yon tomonga og’ishi.
Δb_yon.tomon=(0,8….0,9)x_jk (2.22)