Электроника фанидан саволларга жавоблар

K
K
ЧИК
U
U
U
бўлади. Схема 
симметрик бўлгани учун, кучланиш манбаи ва температура бир вақтда 
ўзгарганда, чиқиш кучланиши U
ЧИҚ 
=0 қиймати сақланиб қолади, яъни идеал 
ДКда нолнинг дрейфи бўлмайди. 
а) б) 
7.1 – расм. Дифференциал кучайтиргич (а) ва унинг эквивалент схемаси (б). 
ДК иккита кучланиш манбаидан таъминланади. Бу манбаларнинг 
кучланишлари модуль бўйича бир – бирига тенг. Иккинчи манба (-Е
М
) нинг 
ишлатилаши 
VT1 
ва 
VT2 
транзисторларларнинг 
эмиттерлари 
потенциалларини (Э нуқта) умумий шина потенциалигача камайтириш 
имконини беради. Бу, биринчидан, ДК киришларига сигналлар сатҳини 
силжитмасдан узатиш (киритиш), иккинчидан, ҳам мусбат, ҳам манфий 
кириш сигналлари билан ишлаш имконини беради. 
ДК киришларига амплитудалари тенг ва фазалари бир хил сигналлар 
берайлик. Бундай сигналлар синфаз сигналлар деб аталади. Синфаз 
сигналлар манбаи бўлиб халақитлар хизмат қилади. Агар синфаз сигналлар 
мусбат бўлса, VT1 ва VT2 транзисторларларнинг эмиттер токлари 
қийматлари ортади. Натижада эмиттер токи орттирмаси ΔI
Э
ҳосил бўлади ва 
у ДК елкалари орасида тенг тақсимланади, коллекторлар потенциаллари бир 
хил қийматга ўзгаради. Натижада, бу ҳолда ҳам U
ЧИҚ 
=0 бўлади. 

---

28 
Реал ДКларда R
K1 
≠ R
K2
бўлгани учун чиқишда кучланиш ҳосил бўлади. 
Синфаз сигналлар учун кучайтириш коэффициенти К
UСФ
ни ҳисоблаймиз. ДК 
да R
Э
резистор ток бўйича кетма-кет манфий ТА ҳосил қилади, ток 
орттирмаси эса, унда манфий ТА сигналини ҳосил қилади. Демак, К
UСФ
манфий ТАли кучайтиргич каскад учун ѐзилган оддий формула билан 
ҳисобланиши мумкин. ДКда R
Э
резистор эмиттер занжирлар учун умумий 
бўлгани учун R
Э
ўрнига 2R
Э
ишлатиш керак, яъни 
Э
K
Э
K
Э
K
UСФ
R
R
R
R
R
R
K
2
2
2
2
1




. (7.2) 
Амалда синфаз сигнал ишчи сигналдан мингларча марта катта бўлгани 
сабабли, К
UСФ
<<1 бўлишига интилинилади. Бунинг учун R
Э
қиймати 
оширилиши керак. Лекин, ИМСларда катта номиналли резисторларни ҳосил 
қилиш мақсадга мувофиқ эмас. Шунинг учун R
Э
резистор ўрнига катта 
номиналли резисторнинг электрон эквивалентидан фойдаланилади. Бундай 
эквивалент бўлиб ўзгарувчан токка қаршилиги бир неча МОмни ташкил 
этувчи БТГ хизмат қилади. 
Монолит ИМСда коллектор қаршиликлари тарқоқлиги ΔR
K
± 3 % дан 
ортмайди. Баҳолаш учун, R
K
ларнинг қиймат бўйича катта ва кичик томонга 
оғиши бир хил, лекин ишоралари билан фарқ қилади (энг нохуш ҳолат) деб 
ҳисоблайлик. Унда R
K 
=5 кОм, R
Э 
=1 МОм бўлганда, К
UСФ 
≈ 0,3·10
-3
ташкил 
этади. Шундай қилиб, масалан, агар синфаз сигнал амплитудаси 1 В бўлса, 
берилган К
UСФ
да ДК чиқишида 0,3 мВ га тенг ѐлғон сигнал пайдо бўлади. 
Демак, бу ҳолда кучайтириш ҳақида эмас, балки синфаз сигнални сўндириш 
ҳақида гапириш ўринли бўлади. 
ДК симметрик бўлгани сабабли кириш сигнали U