Диссертация на соискание ученой степени

Глава 4 Мультисенсорный газочувствительный чип с чувствительным 
слоем из наностержней оксида цинка ................................................................... 116
 
4.1 Методика измерения мультисенсорных систем. ................................... 116
 
4.2 Формирование сенсорного слоя .............................................................. 120
 
4.3 Исследование сенсорного слоя наностержней оксида цинка............... 120
 

---

4 
4.4 Измерение электрических свойств сформированного сенсорного слоя
 ................................................................................................................................... 123
 
4.5 Газочувствительная характеристика сети наностержней ZnO при 
воздействии паров спирта ...................................................................................... 126
 
4.6 Вывод .......................................................................................................... 129
 
Заключение ...................................................................................................... 130
 
Благодарность .................................................................................................. 133
 
Список литературы ......................................................................................... 135
 

---

5 
Перечень условных обозначений 
Eg
– ширина запрещенной зоны; 
ККТ – коллоидные квантовые точки; 
CVD – chemical vapor deposition (химическое осаждение из газовой фазы); 
LPCVD – Low pressure chemical vapor deposition (химическое осаждение из 
газовой фазы при пониженном давлении); 
APCVD – Atmospheric Pressure chemical vapor deposition (химическое 
осаждение из газовой фазы при атмосферном давлении); 
XRD – X-ray diffraction (рентгеновская дифракция); 
SEM – scanning electron microscope (сканирующая электронная микроскопия); 
FESEM – Field Emission Scanning Electron Microscopy (полевая эмиссионная 
сканирующая микроскопия); 
EDX 
– Energy-dispersive X-ray spectroscopy (энергодисперсионная 
рентгеновская спектроскопия); 
НС – наностержни; 
HMTA – гексаметилентетрамин; 
Ppm – parts per million (частей на миллион); 
СТАВ – цетилтриметиламмоний бромид; 
АСМ – атомно-силовая микроскопия; 
ITO – indium tin oxide (оксид индия-олова); 
ALD – Atomic layer deposition (атомно-слоевое осаждение); 
ПАВ – поверхностно-активные вещества; 
ПЖК – пар-жидкость-кристалл; 
ТЭОС – тетраэтоксисилан; 
АБС (ABS) – акрилонитрилбутадиенстирол (acrylonitrile butadiene styrene); 
LDA – linear discriminant analysis (линейный дискриминантный анализ); 
РФЭС (XPS) – Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (X-ray 
photoelectron spectroscopy); 
ВАХ – вольтамперная характеристика 

---

6