Декабрь 2020 17-қисм

Декабрь  2020  17-қисм

Тошкент

Список литературы: 

1. Васин О.И., Климов А.Э. и др.// Поверхность. 1988 г., №12. С.55. 

2.  Лифшиц  В.Г.  Электронная  структура  и  силицидов  образование  и  тонких  пленках 

переходных металлов на кремнии. Препринт 1984г., с.260. 

3. d’Heurle F.M., Thomas O. // Phys.Let. 1988г., V. 52. N 26. P.2269. 

4.Hinkel V., Sorba L. et al. // Appl. Phys. Let. 1987г., V. 50. P. 1257. 

5.  Мельвидский М.Г., Малдышев И.И., Наноразмерные атомные кластеры в 

полупроводниках и новый подход к формированию свойств материалов. ФТП, 1998г., 

т.32, №5, стр. 513-520. 

6.  Эгамбердиев  Б.Э.,  Маллаев  А.С.,  Тошев  А.Р.Особенности  электронной  структуры 

ионно-имплантированных  слоёв  Ni,  Fe  и  Co  в  кремнии.  Международная  конференция. 

Россия, г. Томск, 2009 г., стр.77-80. 

7.  Egamberdiev  B.E.,  Iliev  Kh.M.,  Nasriddinov  S.S.,  Toshev  A.R.,  Zoirova  M.E. 

Photoelectric  properties  of  silicon-based  solar  cells  implanted  with  rare  earth  elements. 

//Conference. Russia, Vladivostok, 2006 г., PP. 204-208. 

8.  B.E.Egamberdiev,  B.Ch.Cholliev,  A.S.Mallaev,  M.E.Zoirova  Receiving  films  CoSi

2

/Si 

(100) and analysis of their morphology and stekhmomstriya o metodoma MLE,TFE and RE // 

Surface Engineering and Applied Electrochemistry N1, 2007г., p.88-92.  

9.  Маллаев  А.  С.  Исследования  механизмов  образовании  силицидов  Mn

2

Si

2,

  FeSi

2,

  

CoSi

2

 и NiSi

2  

кремнии полученных ионним легированием. Авт.канд.дис., 2009 г. 

 

 

---

77