Д. В. Харьков графит в науке и ядерной технике г. Новосибирск 013 Монография

 
6.2. Теплофизические свойства облучённого графита 
Теплоемкость графита мало изменяется после облучения – наблюдается 
уменьшение теплоемкости не более чем на 10 %, что находится в пределах 
погрешности измерения, причем не отмечено влияния температуры 
облучения на теплоемкость [169]. 
На рис.3.4, а-в представлены зависимости относительного изменения 
коэффициента теплопроводности λ от флюенса нейтронов [170]. В исходном 
состоянии значения λ составляют 150 и 120 Вт/м
⋅
К в параллельном и 

---

156 
перпендикулярном направлении соответственно. Различие значений λ 
связано с преимущественным расположением кристаллитов базисными 
плоскостями вдоль оси формования блока и анизотропией теплопроводности 
кристаллитов (в направлении вдоль базисных плоскостей значение λ на 
несколько порядков выше, чем в перпендикулярном направлении). 
Наиболее резкое падение коэффициента теплопроводности λ происходит 
при относительно малом флюенсе. Так, при флюенсе около 0,1
⋅
10
22
см
-2
значение λ снижается на 60-70 % относительно исходного значения. Затем 
темп снижения коэффициента теплопроводности с увеличением флюенса 
замедляется, и в интервале (0,7-1,5)
⋅
10
22
см
-2
изменение λ очень 
незначительно. 
При флюенсе, близком к критическому, происходит ускорение темпов 
падения коэффициента теплопроводности. Резкое снижение значения λ на 
начальном этапе связано с уменьшением длины свободного пробега фононов 
за счет рассеяния фононов на возникающих радиационных дефектах [165, 
171]. Вторичное снижение при флюенсе выше критического связано, по-
видимому, с интенсивным трещинообразованием на стадии вторичного 
распухания. Относительное изменение λ не зависит от направления вырезки 
образцов (рис.6.4,а-в). В ряде работ, например [59], было показано, что так 
как значение λ кристаллитов в направлении вдоль базисных плоскостей на 
несколько порядков выше, чем в перпендикулярном направлении, то 
коэффициент 
теплопроводности 
поликристаллического 
графита 
в 
произвольном направлении будет пропорционален значению λ кристаллитов 
в направлении вдоль базисных плоскостей, и относительное изменение 
коэффициента теплопроводности не будет зависеть от текстуры. Таким 
образом, имея зависимость λ от флюенса для образцов с одной текстурой, 
можно построить аналогичные зависимости для образцов с другими 
текстурами, зная их исходный коэффициент теплопроводности.